Promovierende

Petros Beleniotis

Name: Petros Beleniotis (Stipendiat)

E-Mail: petros.beleniotis(at)b-tu.de

Betreuer:

Prof. Dr.-Ing. Matthias Rudolph

Titel der Dissertation:

Physics-based modeling of GaN HEMTs (Arbeitstitel)

Beschreibung:

III-Nitride semiconductors had shown their exceptional characteristics and capabilities even before their integration into electronic devices. Their remarkable transport and mechanical properties made them protagonists in research and development on electronics. Especially GaN, which combines high thermal conductivity with high electron mobility and high saturation velocity, plays a dominant role as the future semiconductor for extended use in high power-high frequency applications.

Several physical mechanisms are involved in the operation of a GaN-HEMT, influencing not only the transistor but also the circuit in which it operates. These mechanisms can be adequately described nowadays using solid-state physics. However, there is still the problem of how to connect the knowledge in physics with the numerical circuit simulation, a way to combine the characterization and analysis with circuit design and final application.

The aim of this research project is to bridge the gap. It focuses on the influence of variations in GaN HEMT technology on the microwave performance, in order to formulate a statistical compact model reflecting the resulting uncertainty in circuit design.

Kurz-Vita:

I obtained my Degree in Physics from University of Crete in 2014 and my MSc. in Photonics and Nanoelectronics in 2016 from the same University. The subject of my Master thesis was related to the development of metal-insulator-semiconductor (MIS) structures for the gate of HFET devices with InN channel. My research was focused on the investigation of devices’ electrical behaviour through various electrical characterization techniques in correlation with theoretical simulation of the MIS structure. The results of the study aided in the development of pioneering operational MISFETs with InN channel.

In May of 2018, I started my research effort on modeling of GaN HEMTs as a Doctoral Candidate of the Brandenburg University of Technology, under the supervision of Professor Matthias Rudolph.

Unsere Webseite verwendet Cookies. Diese haben zwei Funktionen: Zum einen sind sie erforderlich für die grundlegende Funktionalität unserer Website. Zum anderen können wir mit Hilfe der Cookies unsere Inhalte für Sie immer weiter verbessern. Hierzu werden pseudonymisierte Daten von Website-Besuchern gesammelt und ausgewertet. Das Einverständnis in die Verwendung der technisch nicht notwendigen Cookies können Sie jeder Zeit wiederrufen. Weitere Informationen erhalten Sie auf unseren Seiten zum Datenschutz.

Erforderlich

Diese Cookies werden für eine reibungslose Funktion unserer Website benötigt.

Statistik

Für den Zweck der Statistik betreiben wir die Plattform Matomo, auf der mittels pseudonymisierter Daten von Websitenutzern der Nutzerfluss analysiert und beurteilt werden kann. Dies gibt uns die Möglichkeit Websiteinhalte zu optimieren.

Name Zweck Ablauf Typ Anbieter
_pk_id Wird verwendet, um ein paar Details über den Benutzer wie die eindeutige Besucher-ID zu speichern. 13 Monate HTML Matomo
_pk_ref Wird benutzt, um die Informationen der Herkunftswebsite des Benutzers zu speichern. 6 Monate HTML Matomo
_pk_ses Kurzzeitiges Cookie, um vorübergehende Daten des Besuchs zu speichern. 30 Minuten HTML Matomo