An der Brandenburgischen Technischen Universität Cottbus–Senftenberg ist in der Fakultät MINT - Mathematik, Informatik, Physik, Elektro- und Informationstechnik im Fachgebiet Experimentalphysik und Funktionale Materialien in Cottbus zum nächstmöglichen Zeitpunkt folgende Stelle zu besetzen:

Akademische/r Mitarbeiter/in (Qualifikationsstelle)
befristet für 4 Jahre, Teilzeit 75 v. H., E 13 TV-L

Kennziffer: 02/19

Unsere Forschung auf dem Gebiet niedrigdimensionaler Silizium-Germanium-Zinn-Halbleiterstrukturen für optoelektronische Bauelemente zielt darauf ab, die Eigenschaften von diesen Halbleitermaterialien für den Einsatz bei Infrarot-Wellenlängen maßzuschneidern. Der Einsatz von Zinn (Sn) ermöglicht die Herstellung von Gruppe-IV-Halbleitern mit direkter Bandlücke, die Einsatzmöglichkeiten dieser Materialien reicht von Laserdioden, die auf der industriell relevanten Silizium-Plattform integriert werden können, bis hin zu Infrarot-Sensoren. Die Integration Zinnreicher Nanostrukturen, wie Quantentöpfe oder Quanteninseln, in optoelektronischen Bauelementen kann zusätzliche Freiheitsgrade ermöglichen, die es erlauben, die nutzbaren Wellenlängen maßzuschneidern. Darüber hinaus kann Ladungsträger-Confinement in einer Richtung oder in mehreren Richtungen in Nanostrukturen genutzt werden, um die optoelektronischen Bauelementeigenschaften zu verbessern.

Aufgabengebiet:
Die Beschäftigung umfasst wissenschaftliche Dienstleistungen in Forschung und Lehre und erfolgt mit dem Ziel der Promotion.

Ziel der wissenschaftlichen Arbeit in der Forschung ist schwerpunktmäßig das Wachstum und die Charakterisierung von Sn-reichen Nanostrukturen (Quantentöpfe und Quanteninseln). Für das Wachstum der Halbleiter-Nanostrukturen soll Molekular-strahlepitaxie eingesetzt werden; die Charakterisierung umfasst Methoden wie Röntgenspektroskopie, Raman Spektroskopie, Photolumineszenz-Messungen und die Vermessung optoelektronischer Bauelemente. Die experimentellen Arbeiten werden in enger Zusammenarbeit mit dem Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik (IHP) in Frankfurt (Oder) durchgeführt. In der Position sind regelmäßige Reisen zum IHP nötig, um die experimentellen Arbeiten durchzuführen.

Die Erfüllung von Lehraufgaben des Fachgebietes ist ebenfalls Teil der Tätigkeit.

Voraussetzungen:
Die erfolgreiche Bewerberin/der erfolgreiche Bewerber sollte

  • ein abgeschlossenes wissenschaftliches Hochschulstudium im Sinne der Entgeltordnung zum TV-L (Master/universitäres Diplom/gleichwertig) in für die Tätigkeit einschlägiger Fachrichtung (Physik, Elektrotechnik, Angewandte Physik oder vergleichbar) vorweisen,
  • erste experimentelle Fähigkeiten schon im Studium erworben haben,
  • Englisch in Wort und Schrift beherrschen,
  • Engagement zeigen und die Fähigkeit zum selbständigen, wissenschaftlichen Arbeiten sowie zum konzeptionellen Denken und zur Kommunikation und Kooperation im Team besitzen.

Darüber hinaus sind Kenntnisse in Halbleiterphysik, Materialdeposition auf Silizium und Charakterisierungsmethoden wünschenswert.

Für weitere Informationen über die zu besetzende Stelle steht Ihnen Prof. Dr. Inga Anita Fischer (Tel.: +49 355 69 3981 oder E-Mail: inga.fischer(at)b-tu.de) gern zur Verfügung.

Wir wertschätzen Vielfalt und begrüßen daher alle Bewerbungen – unabhängig von Geschlecht, Nationalität, ethnischer und sozialer Herkunft, Religion/Weltanschauung, Behinderung, Alter sowie sexueller Orientierung und Identität.

Die BTU Cottbus–Senftenberg strebt in allen Beschäftigtengruppen eine ausgewogene Geschlechterrelation an.

Schwerbehinderte Bewerber/innen werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt.

Auf die Vorlage von Bewerbungsfotos wird verzichtet.

Bitte beachten Sie die näheren Hinweise zum Auswahlverfahren auf der Internetseite der BTU Cottbus–Senftenberg.

Bewerbungen mit Anschreiben, einem Lebenslauf sowie Zeugniskopien unter Angabe der Kennziffer richten Sie bitte ausschließlich in digitaler Form bis zum 07.02.2019 an den Dekan der Fakultät MINT - Mathematik, Informatik, Physik, Elektro- und Informationstechnik

E-Mail: fakultaet1(at)b-tu.de


The Brandenburg University of Technology Cottbus-Senftenberg, Germany, campus in Cottbus offers a position at the Department of Physics:

Doctoral Position Growth and Characterization of Sn-rich Nanostructures
(limited to 4 years, 0.75 EGr. 13 TV-L)

Reference number: 02/19

The position is subject to the German law on fixed-term contracts in science (WissZeitVG).

Our research on low-dimensional Silicon-Germanium-Tin semiconductor structures for optoelectronic devices is aimed at designing the properties of those semiconductor materials for device operation at infrared wavelengths. The introduction of Tin (Sn) can enable the fabrication of direct band gap group-IV semiconductor alloys with numerous applications ranging from lasers that can be integrated on the industrially relevant Silicon platform to infrared sensors. Incorporating Sn-rich nanostructures such as quantum wells or dots into optoelectronic devices can offer additional degrees of freedom in order to tune operating wavelengths as well as enhanced optical properties originating from carrier confinement in one or more directions.

Topic:

The goal of this PhD work is the growth and characterization of Sn-rich nanostructures, i.e. quantum wells and dots. Molecular beam epitaxy will be used for the growth of the semiconductor nanostructures, characterization methods will include X-ray diffraction, Raman spectroscopy, photoluminescence measurements and optoelectronic device characterization. The experimental work will be carried out in close collaboration with the Leibniz Institute for High Performance Microelectronics (IHP) at Frankfurt (Oder). The position requires frequent travels to IHP in order to carry out part of the experimental work. Active participation of the Ph.D. student in teaching is mandatory.

Requirements:

The applicant should

  • hold a Masters degree in Physics, Electrical Engineering, Applied Physics, or similar fields
  • demonstrate experimental skills, ideally also knowledge in semiconductor physics, material growth on Si, and characterization methods,
  • be fluent in both written and spoken English
  • show strong interest and commitment, an aptitude for independent scientific research as well as good teamwork.

Please contact Prof. Dr. Inga Anita Fischer (phone: +49 355 69 3981 or e-mail: inga.fischer@b-tu.de) for further information.

We value diversity and welcome all applications – regardless of gender, nationality, ethnic or social origin, religion/ideology, disability, age, sexual orientation and identity.

BTU Cottbus–Senftenberg strives for a well-balanced gender relation in allgroups of employees.

Handicapped applicants will be preferred in case of equal qualification.

The presentation of application photos is not required.

Please note the detailed information on the selection procedure on the BTU Cottbus-Senftenberg website.

Applications should be submitted via email as a pdf file and include a letter of application, curriculum vitae as well as copies of certificates and references with the reference number until 07.02.2019 to the Dean of the Faculty of Mathematics, Computer Science, Physics, Electrical Engineering and Information Technology

E-Mail: fakultaet1(at)b-tu.de