interfaces M. Tallarida, R. Sohal, D.Schmeißer Symposium S: "Material Science and Technology of Wide Bandgap Semiconductors" Symposium S9, Vortrag S9 03, 01.06.2006, 15:15 Uhr Kurzfassung Role of the two [...] Tallarida, D.Schmeißer, F. Zheng, F. J. Himpsel Symposium S: "Material Science and Technology of Wide Bandgap Semiconductors" Symposium S, 30.05.2006, Poster S A14, 16:30 Uhr Kurzfassung MRS Frühjahrstagung
/fg-angewandte-physik/publikationen/tagungsbeitraege/2006

Poster, Tuesday, 15.09.2026, 05:30 pm Abstract XPS study on β-aluminum-gallium oxide: composition, bandgap, and substrate dependence L. Schewe , J. Rehm, M-C. Kao, V. Vonk, Z. Galazka, S. Bin Anooz, A.
/fg-physik-halbleiterspektroskopie/publikationen/tagungsbeitraege/2026

Energiespeicher Ruben, Marco Diplomarbeit: Schaltungsdesign und Layout einer Low-Power und Low-Voltage Bandgap-Spannungsreferenz basierend auf einer 65nm CMOS-Technologie 2013 Bramburger, Stefan Studienarbeit
/mikroelektronik/forschung/abschlussarbeiten/abgeschlossene-arbeiten

Communication & Radar Sensing (JCAS) Phased-Arrays, MIMO-Arrays und Reflectarrays Electromagnetic Bandgap (EBG)-Metamaterialien und Metamaterial-basierte Antennen Wellenleiter, Wellenleiterübergänge und
/fg-antennen-hochfrequenz-systeme/forschung/antennen-und-wellenleiter

27, 12LT02 (2018) https://doi.org/10.1088/1361-6595/aaefc7 J. Trieschmann, T. Mussenbrock Kinetic Bandgap Analysis of Plasma Photonic Crystals Journal of Applied Physics 124, 173302 (2018) https://doi.org
/fg-tet/forschung/publikationen/begutachtete-zeitschriftenartikel

Freiburg, IKZ Berlin, MPI Halle, Univ. Göttingen, Köln, Erlangen-Nürnberg ... 19) BANSIS EU project: Bandgap Engineering for Si-based Solar Cells Laufzeit: 1996 - 1998 Partner: IMEC Leuven, MPI Stuttgart,
/fg-schaltkreisentwurf/apl-prof-dr-martin-kittler/drittmittelprojekte

D.; ICSICT 2006, October 23—26, 2006, Shanghai, China; IEEE Catalog 06EX 1294C. A Sub-1-V CMOS Bandgap using Forward Body Bias of the PMOS Differential Pair for Reduction of the Threshold Voltages
/fg-mikroelektronik/publikationen/konferenzenjournale

Arbeitstitel ) Beschreibung: GeSn alloys are an interesting new class of semiconductors owing to their bandgap, tunable by varying the Sn content, and their compatibility with modern Si technology. GeSn growth [...] photoresponsivity across the telecommunication band (>1.55 µm) and an optically pumped direct bandgap GeSn laser for Sn contents of 2 and 13 %, respectively. The direct growth of GeSn on Si(001) bears
/researchschool/gefoerderte-forschungsaktivitaeten/cluster-fusion/promovierende

Highly Rugged X-Band GaN Low Noise Amplifiers", 6th Space Agency – MOD Round Table Workshop on Wide Bandgap Semiconductors and Components, ESA-ESTEC, Noordwijk, NL, 2012, P09. Cristina Andrei, Ralf Doerner
/hochfrequenz-und-mikrowellentechnik-ulrich-l-rohde-stiftungsprofessur/publikationen/publikationen

Mchedlidze, M. Reiche, M. Kittler Phys. Stat. Sol. (c) 8, 1371 (2011) 198 “Room temperature direct band-gap emission from an unstrained Ge p-i-n LED on Si” T. Arguirov, M. Kittler, M. Oehme, N.V. Abrosimov
/fg-schaltkreisentwurf/apl-prof-dr-martin-kittler/publikationsliste