13302 - Angewandte Physik B Modulübersicht
| Modulnummer: | 13302 - Modul nicht mehr im Angebot ab SS 2012 |
| Modultitel: | Angewandte Physik B |
| Applied Physics B | |
| Einrichtung: | Fakultät 1 - Mathematik, Naturwissenschaften und Informatik |
| Verantwortlich: |
|
| Lehr- und Prüfungssprache: | Deutsch |
| Dauer: | 1 Semester |
| Angebotsturnus: | jedes Wintersemester |
| Leistungspunkte: | 6 |
| Lernziele: | Kennenlernen der wichtigsten Halbleiterbauelemente mit entsprechender Modellierung |
| Inhalte: | Die Entwicklung von monolithisch integrierten Systemen erfordert umfangreiche Simulationen auf verschiedenen Hierarchie-Ebenen in den die elektronischen Bauelemente als mathematisches Modell beschrieben sind. Zu diesem Zwecke werden in diesem Modul die folgenden Bauteile und Themen detailliert erarbeitet: p-n Übergang, Dioden, Bipolar-, FET-, MESFET-, MOSFET- bzw. CMOS-Transistoren, die monolithische Integration, RF-Modellierung, Simulatoren |
| Empfohlene Voraussetzungen: | Schulmathematik |
| Zwingende Voraussetzungen: | keine |
| Lehrformen und Arbeitsumfang: |
|
| Unterrichtsmaterialien und Literaturhinweise: | S. M: Sze, Semiconductor Devices; P. Antognetti, G. Massobrio, Semiconductor Device Modeling with Spice; Vorlesungsskript |
| Modulprüfung: | Keine Angabe - Angabe ab Wintersemester 2016/17 erforderlich! |
| Prüfungsleistung/en für Modulprüfung: | Schriftliche Prüfung à 60 Minuten, am Ende des Semesters |
| Bewertung der Modulprüfung: | Prüfungsleistung - benotet |
| Teilnehmerbeschränkung: | keine |
| Zuordnung zu Studiengängen: |
|
| Bemerkungen: | Die Vorlesung kann bei Bedarf auch in Englisch gelesen werden. |
| Veranstaltungen zum Modul: | Vorlesung: Angewandte Physik B (Halbleiterbauelemente und deren Modellierung) Übung zur Vorlesung |
| Veranstaltungen im aktuellen Semester: |
|
| Nachfolgemodul/e: |
Auslaufmodul ab: 07.12.2011
|
