Publikationen

Limiting the Output Power of Rugged GaN LNAs

Autor(en)
Kaule, Evelyne, Andrei, Cristina, Gerlich, Stefan, Dörner, Ralf, Rudolph, Matthias
Publikationsart
Konferenzveröffentlichung referiert
Erscheinungsjahr
2019
Freie Schlagworte
Power generation; Logic Gates; Gallium nitride; Attenuators; HEMTs; Printed circuits; Power measurement; Limit; GaN; HEMT; ruggedness; low noise amplifier (LNA); receiver
Quelle
14th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC), S. 240 - 242
ISBN
978-2-87487-056-9
978-1-7281-0768-4
DOI
https://doi.org/10.23919/EuMIC.2019.8909653

Limiting the Output Power of Rugged GaN LNAs

Autor(en)
Kaule, Evelyne, Andrei, Cristina, Gerlich, Stefan, Dörner, Ralf, Rudolph, Matthias
Publikationsart
Konferenzveröffentlichung referiert
Erscheinungsjahr
2019
Freie Schlagworte
Power generation; Logic Gates; Gallium nitride; Attenuators; HEMTs; Printed circuits; Power measurement; Limit; GaN; HEMT; ruggedness; low noise amplifier (LNA); receiver
Quelle
Proceedings of 49th European Microwave Conference (EuMC), S. 794 - 796
ISBN
978-2-87487-055-2
978-1-7281-1798-0
DOI
https://doi.org/10.23919/EuMC.2019.8910675

Germanium-Laser für die Silizium-Photonik

Autor(en)
Schwartz, Bernhard
Publikationsart
Dissertation
Erscheinungsjahr
2019
URL
https://opus4.kobv.de/opus4-btu/frontdoor/index/index/docId/4864
DOI
https://doi.org/10.26127/BTUOpen-4864

Transport of Charge Carriers along Dislocations in Si and Ge

Autor(en)
Kittler, Martin, Reiche, Manfred, Schwartz, Bernhard, Uebensee, Hartmut, Kosina, Hans, Stanojevic, Zlatan, Baumgartner, Oskar, Ortlepp, Thomas
Publikationsart
Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert
Erscheinungsjahr
2019
Quelle
Physica status solidi. A, Applications and materials science
Band/Jahrgang
Volume 216
Ausgabe/Heft
17
ISSN
1862-6319
DOI
https://doi.org/10.10002/pssa.201900287

Combined DLTS/MCTS investigations of deep electrical levels of regular dislocation networks in silicon

Autor(en)
Trushin, Maxim, Varlamov, A., Loshachenko, A., Vyvenko, Oleg F., Kittler, Martin
Publikationsart
Konferenzveröffentlichung referiert
Erscheinungsjahr
2019
Quelle
Journal of Physics: Conference Series
DOI
https://doi.org/10.1088/1742-6596/1190/1/012005

Temperature dependence of luminescence from dislocated Ge on Si substrate

Autor(en)
Schwartz, Bernhard, Reiche, Manfred, Kittler, Martin
Publikationsart
Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert
Erscheinungsjahr
2018
Quelle
Materials Today: Proceedings, S. 14712 - 14721
Band/Jahrgang
5
Ausgabe/Heft
3,1
ISSN
2214-7853
DOI
https://doi.org/10.1016/j.matpr.2018.03.061

Luminescence of strained Ge on GeSn virtual substrate grown on Si (001)

Autor(en)
Schwartz, Bernhard, Oehme, Michael, Körner, Roman, Bechler, Stefan, Schulze, Jörg, Kittler, Martin
Publikationsart
Konferenzveröffentlichung
Erscheinungsjahr
2017
Verlag
Bellingham, Washington : SPIE
Quelle
Silicon Photonics XII, 30 January-1 February 2017, San Francisco, California, United States
ISBN
978-1-5106-0657-9
DOI
https://doi.org/10.1117/12.2249564
Schriftenreihe(n) ; Bandnummer
Proceedings of SPIE ; 10108

Influence of strain, donor concentration, carrier confinement, and dislocation density on the efficiency of luminiscence of Ge-based structures on Si substrate

Autor(en)
Schwartz, Bernhard, Reiche, Manfred, Kittler, Martin
Publikationsart
Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert
Erscheinungsjahr
2017
Quelle
Physica Status Solidi : C, Current Topics in Solid State Physics, S. 1700018-1 - 1700018-5
Band/Jahrgang
14
Ausgabe/Heft
7
ISSN
1610-1642
URL
http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/pssc.201700018/full

Impact of Defect-Induced Strain on Device Properties

Autor(en)
Reiche, Manfred, Kittler, Martin, Pippel, Eckhard, Übensee, Hartmut, Kosina, Hans, Grill, Alexander, Stanojevic, Zlatan, Baumgartner, Oskar
Publikationsart
Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert
Erscheinungsjahr
2017
Quelle
Advanced Engineering Materials
Band/Jahrgang
19
Ausgabe/Heft
8
ISSN
1527-2648
DOI
https://doi.org/10.1002/adem.201600736

Fully monolithically integrated X-Band amplifiers with frequency selective feedback

Autor(en)
Gerlich, Stefan
Publikationsart
Dissertation
Erscheinungsjahr
2016
Freie Schlagworte
Leistungsverstärker; Rauscharm; SiGe; Verstärker; X-Band; Amplifier; Low-Noise; PA; X-band; SiGe
URN
urn:nbn:de:kobv:co1-opus4-39255

Electronic properties of dislocations

Autor(en)
Reiche, Manfred, Kittler, Martin, Übensee, Hartmut, Pippel, Eckhard, Haehnel, Angelika, Birner, Stefan
Publikationsart
Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert
Erscheinungsjahr
2016
Quelle
Appl. Phys. A (2016)
Band/Jahrgang
April 2016 122:389
DOI
https://doi.org/10.1007/s00339-016-9836-x

Grain boundary light beam induced current: A characterization of bonded silicon wafers and polycrystalline silicon thin films for diffusion length extraction

Autor(en)
Gref, Orman, Teodoreanu, Ana-Maria, Leihkauf, Rainer, Lohrke, Heiko, Kittler, Martin, Amkreutz, Daniel, Boit, Christian, Friedrich, Felice
Publikationsart
Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert
Erscheinungsjahr
2016
Quelle
Physica Status Solid A, S. 1728 - 1737
Band/Jahrgang
213
Ausgabe/Heft
7
ISSN
1862-6319
DOI
https://doi.org/10.1002/pssa.201532987

Electronic and Optical Properties of Dislocations in Silicon

Autor(en)
Reiche, Manfred, Kittler, Martin
Publikationsart
Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert
Erscheinungsjahr
2016
Quelle
Crystals
Band/Jahrgang
6
Ausgabe/Heft
7
ISSN
2073-4352
DOI
https://doi.org/10.3390/cryst6070074

Ge and GeSn Light Emitters on Si

Autor(en)
Oehme, Michael, Gollhofer, Martin, Kostecki, Konrad, Körner, Roman, Bechler, Stefan, Widmann, Daniel, Aguirov, Tzanimir, Kittler, Martin, Schulze, Jörg
Publikationsart
Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert
Erscheinungsjahr
2016
Quelle
Solid State Phenomena, S. 353 - 360
Band/Jahrgang
242
ISSN
1012-0394
DOI
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/SSP.242.353

The Zener-Emitter: A Novel Superluminescent Ge Optical Waveguide-Amplifier with 4.7 dB Gain at 92 mA Based on Free-Carrier Modulation by Drect Zener Tunneling Monolithically Integrated on Si

Autor(en)
Körner, Roman, Schwarz, Daniel, Fischer, Inga Anita, Augel, Lion, Bechler, Stefan, Hänel, Linda, Kern, Michael, Oehme, Michael, Rolseth, Erlend Granbo, Schwartz, Bernhard, Weißhaupt, David, Zhang, Wogong, Schulze, Jörg
Publikationsart
Konferenzveröffentlichung referiert
Erscheinungsjahr
2016
Verlag
Piscataway, NJ : IEEE
Quelle
2016 IEEE International Electronic Devices Meeting (IEDM), 3-7 Dec. 2016, S. 2251 - 2254
ISBN
978-1-5090-3901-2
978-1-5090-3902-9

Photoluminescence from ultrathin Ge-rich multiple quantum wells observed up to room temperature: Experiments and modeling

Autor(en)
Wendav, Torsten, Fischer, Inga Anita, Virgilio, Michele, Capellini, Giovanni, Oliveira, F., Cerqueira, M. F., Benedetti, A., Chiussi, Stefano, Zaumseil, Peter, Schwartz, Bernhard, Busch, Kurt, Schulze, J.
Publikationsart
Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert
Erscheinungsjahr
2016
Quelle
Physical Review B 94, S. 245304
Band/Jahrgang
94
Ausgabe/Heft
24
DOI
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.94.245304

Comparison of EL emitted by LEDs on Si substrates containing Ge and Ge/GeSn MQW as active layers

Autor(en)
Schwartz, Bernhard, Arguirov, Tzanimir V., Kittler, Martin, Oehme, Michael, Kostecki, Konrad, Kasper, Erich, Schulze, Jörg
Publikationsart
Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel nicht referiert
Erscheinungsjahr
2015
Verlag
International Society for Optics and Photonics
Quelle
Silicon Photonics X, 9-12 February 2015, San Francisco, California, United States
DOI
https://doi.org/10.1117/12.2080816
Schriftenreihe(n) ; Bandnummer
Proceedings of SPIE ; 9367

Electroluminescence of GeSn/Ge MQW LEDs on Si substrate

Autor(en)
Schwartz, Bernhard, Oehme, Michael, Kostecki, Konrad, Widmann, Daniel, Gollhofer, Martin, Körner, Roman, Bechler, Stefan, Fischer, Inga Anita, Wendav, Torsten, Kasper, Erich, Schulze, Jörg, Kittler, Martin
Publikationsart
Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert
Erscheinungsjahr
2015
Quelle
Optics Letters, S. 3209 - 3212
Band/Jahrgang
40
Ausgabe/Heft
13
DOI
https://doi.org/10.1364/OL40.003209

About dislocation and oxygen related luminescence of Si around 0.8 eV

Autor(en)
Kittler, Martin, Arguirov, Tzanimir V., Reiche, Manfred, Krause, Christoph, Mankovics, Daniel
Publikationsart
Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert
Erscheinungsjahr
2015
Quelle
Physica Status Solidi C, S. 1077 - 1080
Band/Jahrgang
12
Ausgabe/Heft
8
ISSN
1610-1642
DOI
https://doi.org/10.1002/pssc.201400231

Physica Status Solidi : C

Herausgeber
Seibt, Michael, Kittler, Martin
Publikationsart
Periodikum
Erscheinungsjahr
2015
Band/Jahrgang
12
Ausgabe/Heft
8
DOI
https://doi.org/10.1002/pssc.201570099

Light-emitting semiconductor structure and optoelectronic component therefrom

Autor(en)
Kittler, Martin, Arguirov, Tzanimir V., Reiche, Manfred
Publikationsart
Patent
Erscheinungsjahr
2015
Patentnummer
Anmeldenummer: 13/668, 330

Strain and carrier transport along dislocations

Autor(en)
Reiche, Manfred, Kittler, Martin, Pippel, Eckhard, Erfurth, Wilfried, Haehnel, Angelika, Übensee, Hartmut
Publikationsart
Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert
Erscheinungsjahr
2015
Quelle
Physica Status Solidi C, S. 1071 - 1076
Band/Jahrgang
12
Ausgabe/Heft
8
ISSN
1610-1642
DOI
https://doi.org/10.1002/pssc.201400298

Electronic Properties of Dislocations

Autor(en)
Reiche, Manfred, Kittler, Martin, Pippel, Eckhard, Kosina, Hans, Lugstein, Alois, Übensee, Hartmut
Publikationsart
Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert
Erscheinungsjahr
2015
Quelle
Solid State Phenomena, S. 141 - 146
Band/Jahrgang
242
ISSN
1012-0394
DOI
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/SSP.242.141

Analysis of EL Emitted by LEDs on Si Substrates Containing GeSn/Ge Multi Quantum Wells as Active Layers

Autor(en)
Schwartz, Bernhard, Saring, Philipp, Arguirov, Tzanimir V., Oehme, Michael, Kostecki, Konrad, Kasper, Erich, Schulze, J., Kittler, Martin
Publikationsart
Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert
Erscheinungsjahr
2015
Quelle
Solid State Phenomena, S. 361 - 367
Band/Jahrgang
242
ISSN
1012-0394
DOI
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/SSP.242.361

Carrier Transport on Dislocations

Autor(en)
Reiche, Manfred, Kittler, Martin, Krause, M., Übensee, Hartmut
Herausgeber
Cavallini, Anna, Estreicher, Stefan K.
Publikationsart
Konferenzveröffentlichung
Erscheinungsjahr
2014
Verlag
Melville, New York : AIP Publishing
Quelle
International Conference on Defects in Semiconductors 2013, proceedings of the 27th International Conference on Defects in Semiconductors, ICDS-2013, Bologna, Italy, 21-26 July 2013
ISBN
978-0-7354-1215-6
DOI
https://doi.org/10.1063/1.4865599
Schriftenreihe(n) ; Bandnummer
AIP conference proceedings ; 1583,1

Dislocations as Native Nanostructures - Electronic Properties

Autor(en)
Reiche, Manfred, Kittler, Martin, Übensee, Hartmut, Pippel, Eckhard, Hopfe, Sigrid
Publikationsart
Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert
Erscheinungsjahr
2014
Quelle
Advances in Nano Research, S. 1 - 14
Band/Jahrgang
2
Ausgabe/Heft
1
ISSN
2287-2388
2287-237X
DOI
https://doi.org/10.12989/anr.2014.2.1.001

On the Electronic Properties of a Single Dislocation

Autor(en)
Reiche, Manfred, Kittler, Martin, Erfurth, Wilfried, Pippel, Eckhard, Sklarek, Kornelia, Blumtritt, Horst, Haehnel, Angelika, Übensee, Hartmut
Publikationsart
Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert
Erscheinungsjahr
2014
Quelle
Journal of Applied Physics, S. 194303
Band/Jahrgang
115
Ausgabe/Heft
19
ISSN
1089-7550
DOI
https://doi.org/10.1063/1.4876265

Single Dislocations as Nanostructure Devices: Physics and Applications

Autor(en)
Reiche, Manfred, Kittler, Martin, Übensee, Hartmut, Pippel, Eckhard, Erfurth, Wilfried
Publikationsart
Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert
Erscheinungsjahr
2014
Quelle
ECS Transactions, S. 267 - 281
Band/Jahrgang
64
Ausgabe/Heft
11
DOI
https://doi.org/10.1149/06411.0267ecst

Single-Electron Transitions In One-Dimensional Native Nanostructures

Autor(en)
Reiche, M., Kittler, Martin, Schmelz, M., Stolz, R., Pippel, E., Übensee, Hartmut, Kermann, M., Ortlepp, T.
Publikationsart
Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert
Erscheinungsjahr
2014
Quelle
Journal of Physics: Conference Series, S. 052024
Band/Jahrgang
568
ISSN
1742-6588
DOI
https://doi.org/10.1088/1742-6596/568/5/052024

Light Induced Crystallization of an Amorphous Silicon Film Embedded Between Silicon Oxide Layers

Autor(en)
Schade, Martin, Mchedlidze, Teimuraz, Kittler, Martin, Leipner, Hartmut S.
Publikationsart
Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert
Erscheinungsjahr
2014
Quelle
Physica Status Solidi B, S. 439 - 445
Band/Jahrgang
251
Ausgabe/Heft
2
DOI
https://doi.org/10.1002/pssb.201349143

Luminescence from Germanium and Germanium on Silicon

Autor(en)
Arguirov, Tzanimir V., Kittler, Martin, Oehme, Michael, Abrosimov, Nikolay V., Vyvenko, Oleg F., Kasper, Erich, Schulze, Jörg
Publikationsart
Konferenzveröffentlichung
Erscheinungsjahr
2014
Verlag
Durnten-Zurich [u.a.] : Trans Tech Publ.
Quelle
Gettering and defect engineering in semiconductor technology XV, selected papers from the 15th Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology Conference, September 22 - 27, 2013, Oxford, UK, S. 383 - 393
DOI
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/SSP.205-206.383
Schriftenreihe(n) ; Bandnummer
Solid state phenomena ; 205/206

Charge Carrier Transport Along Grain Boundaries in Silicon

Autor(en)
Kittler, Martin, Reiche, Manfred, Krause, Hans-Michael
Publikationsart
Konferenzveröffentlichung
Erscheinungsjahr
2014
Verlag
Durnten-Zurich [u.a.] : Trans Tech Publ.
Quelle
Gettering and defect engineering in semiconductor technology XV, selected papers from the 15th Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology Conference, September 22 - 27, 2013, Oxford, UK, S. 293 - 298
DOI
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/SSP.205-206.293
Schriftenreihe(n) ; Bandnummer
Solid state phenomena ; 205/206

Properties of D3-Like (0,93 eV) Luminescence in Solar Grade Silicon

Autor(en)
Krause, Christoph, Arguirov, Tzanimir V., Mankovics, Daniel, Krause, Hans-Michael, Kittler, Martin
Publikationsart
Konferenzveröffentlichung
Erscheinungsjahr
2014
Verlag
Durnten-Zurich [u.a.] : Trans Tech Publ.
Quelle
Gettering and defect engineering in semiconductor technology XV, selected papers from the 15th Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology Conference, September 22 - 27, 2013, Oxford, UK, S. 83 - 88
DOI
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/SSP.205-206.83
Schriftenreihe(n) ; Bandnummer
Solid state phenomena ; 205/206

GeSn Heterojunction LEDs on Si Substrates

Autor(en)
Oehme, Michael, Kostecki, Konrad, Arguirov, Tzanimir V., Mussler, Gregor, Ye, Kaiheng, Gollhofer, Martin, Schmid, Marc, Kaschel, Mathias, Körner, Roman, Kittler, Martin, Buca, Dan, Kasper, Erich, Schulze, Jörg
Publikationsart
Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert
Erscheinungsjahr
2014
Quelle
IEEE Photonics Technology Letters, S. 187 - 189
Band/Jahrgang
26
Ausgabe/Heft
2
ISSN
1041-1135
DOI
https://doi.org/10.1109/LPT.2013.2291571

GeSn/Ge Multi Quantum Well Photodetectors on Si Substrates

Autor(en)
Oehme, Michael, Widmann, Daniel, Kostecki, Konrad, Zaumseil, Peter, Schwartz, Bernhard, Gollhofer, Martin, Körner, Roman, Bechler, Stefan, Kittler, Martin, Kasper, Erich, Schulze, Jörg
Publikationsart
Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert
Erscheinungsjahr
2014
Quelle
Optics Letters, S. 4711 - 4714
Band/Jahrgang
39
Ausgabe/Heft
16
ISSN
1539-4794
DOI
https://doi.org/10.1364/OL.39.004711

Trap-Assisted Tunneling on Extended Defects in Tunnel Field-Effect Transistors

Autor(en)
Reiche, Manfred, Kittler, Martin, Übensee, Hartmut, Krause, Michael, Pippel, Eckhard
Publikationsart
Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert
Erscheinungsjahr
2014
Quelle
Japanese Journal of Applied Physics, S. 1 - 6
Band/Jahrgang
53
Ausgabe/Heft
4S, 04EC03
ISSN
1347-4065
DOI
https://doi.org/10.7567/JJAP.53.04EC03

Electroluminescence of Germanium-LEDs on Silicon

Autor(en)
Schwartz, Bernhard, Klossek, Andre, Kittler, Martin, Oehme, Michael, Kasper, Erich, Schulze, Jörg
Publikationsart
Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert
Erscheinungsjahr
2014
Quelle
Physica Status Solidi C, S. 1686 - 1691
Band/Jahrgang
11
Ausgabe/Heft
11-12
DOI
https://doi.org/10.1002/pssc.201400056

Impact of Dislocations and Dangling Bond Defects on The Electrical Performance of Crystalline Silicon Thin Films

Autor(en)
Steffens, S., Becker, C., Amkreutz, Daniel, Klossek, André, Kittler, Martin, Chen, Y.-Y., Schnegg, Alexander, Klingsporn, Max, Abou-Ras, Daniel, Lips, Klaus, Rech, Bernd
Publikationsart
Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert
Erscheinungsjahr
2014
Quelle
Applied Physics Letters, S. 022108
Band/Jahrgang
105
Ausgabe/Heft
2
ISSN
1077-3118
0003-6951
DOI
https://doi.org/10.1063/1.4890625

Highly Efficient Packaged 11-13 GHz Power Amplifier in SiGe-Technology With 37.3% of PAE

Autor(en)
Gerlich, Stefan, Weger, Peter
Publikationsart
Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert
Erscheinungsjahr
2013
Freie Schlagworte
Power amplifier
Quelle
IEEE Microwave and Wireless Components Letters, S. 539 - 541
Band/Jahrgang
23
Ausgabe/Heft
10
ISSN
1531-1309
DOI
https://doi.org/10.1109/LMWC.2013.2278285

A Narrow-band 8.7 GHz SiGe HBT LNA with a Passive Frequency Selective Feedback

Autor(en)
Gerlich, Stefan, Weger, Peter
Publikationsart
Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert
Erscheinungsjahr
2012
Freie Schlagworte
LNA; Radiofrequency Integrated Circuits
Quelle
Frequenz, S. 183 - 188
Band/Jahrgang
66
Ausgabe/Heft
7-8
ISSN
0016-1136
2191-6349
DOI
https://doi.org/10.1515/freq-2012-0037

Hybrid cascode with an isolated NLDMOS and HBT for X-Band power amplifier applications

Autor(en)
Wipf, Christian, Sorge, Roland, Weger, Peter
Publikationsart
Konferenzveröffentlichung
Erscheinungsjahr
2011
Verlag
Piscataway : IEEE
Quelle
Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems (SiRF), IEEE 11th Topical Meeting on, Phoenix, AZ, 2011, S. 121 - 124
ISBN
978-1-4244-8060-9
DOI
https://doi.org/10.1109/SIRF.2011.5719310

Fully monolithically integrated X-band power amplifier without external matching

Autor(en)
Meshcheriakov, Ievgenii, Solomko, Valentyn A., Weger, Peter
Publikationsart
Konferenzveröffentlichung
Erscheinungsjahr
2010
Verlag
Piscataway, NJ : IEEE
Quelle
Conference on Ph.D. Research in Microelectronics and Electronics (PRIME) 2010, Berlin, Institute of Technology, S. 1 - 4
ISBN
978-1-424-47905-4

A Fully Integrated 3.3-3.8-GHz Power Amplifier With Autotransformer Balun

Autor(en)
Solomko, Valentyn A., Weger, Peter
Publikationsart
Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert
Erscheinungsjahr
2009
Quelle
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 57(2009)9, S. 2160-2172, 0018-9480

Monolithically integrated ?? frequency synthesiser with distributed reference spurs

Autor(en)
Solomko, Valentyn A., Weger, Peter
Publikationsart
Artikel
Erscheinungsjahr
2008
Quelle
IET circuits, devices and systems 2(2008)6, S. 527-536, 1751-858X

Monolithically integrated Sigma-Delta Frequency Synthesizers in 0.13 µm CMOS

Autor(en)
Solomko, Valentyn A.
Publikationsart
Dissertation
Erscheinungsjahr
2008
Freie Schlagworte
Integrierte Schaltung; Frequenzsynthese; CMOS-Schaltung; Sigma-Delta-Wandler
URN
urn:nbn:de:kobv:co1-opus-4656

5-6 GHz Low-Power, High Linearity Differential CMOS LNA with Robust ESD Protection

Autor(en)
Debski, Wojciech Andrzej, Weger, Peter
Publikationsart
Artikel
Erscheinungsjahr
2007
Quelle
Frequenz : journal of RF-engineering and telecommunications 61(2007)5-6, S. 110-112, 0016-1136

A Monolithically Integrated 23-24 GHz Tuned Down-Converter in 0.13 µm CMOS

Autor(en)
Debski, Wojciech Andrzej, Weger, Peter
Publikationsart
Artikel
Erscheinungsjahr
2007
Quelle
Frequenz : journal of RF-engineering and telecommunications 61(2007)7-8, S. 178-181, 0016-1136

Multi-band adaptive WLAN receivers in 0.13 µm CMOS

Autor(en)
Debski, Wojciech Andrzej
Publikationsart
Dissertation
Erscheinungsjahr
2007
Freie Schlagworte
Drahtloses lokales Netz; CMOS-Schaltung
URN
urn:nbn:de:kobv:co1-opus-3689

11 GHz CMOS frequency synthesiser

Autor(en)
Solomko, Valentyn A., Weger, Peter
Publikationsart
Artikel
Erscheinungsjahr
2006
Quelle
Electronic letters 42(2006)21, S. 1199-2000, 0013-5194

17 GHz 50-60 mW Power Amplifiers in 0.13 um standard CMOS

Autor(en)
Vasylyev, Andriy, Weger, Peter, Bakalski, Winfried
Publikationsart
Artikel
Erscheinungsjahr
2006
Quelle
IEEE microwave and wireless components letters 16(2006)1, S. 37-39, 1051-8207

Integrated RF power amplifier design in silicon based technologies

Autor(en)
Vasylyev, Andriy
Publikationsart
Dissertation
Erscheinungsjahr
2006
Freie Schlagworte
Siliciumbauelement; Radiofrequenzbereich; Verstärker; Leistungsverstärker; CMOS
URN
urn:nbn:de:kobv:co1-opus-202

Fully-integrated 32 dBm, 1.5-2.9 GHz SiGe-bipolar power amplifier using power-combining transformer

Autor(en)
Vasylyev, Andriy, Weger, Peter, Bakalski, Winfried, Simbürger, Werner
Publikationsart
Artikel
Erscheinungsjahr
2005
Quelle
Electronic letters 41(2005)16, S. 35-36, 0013-5194

Keramische System-in-Package-Technologie für 5GHz-Transceivermodul

Autor(en)
Debski, Wojciech Andrzej, Langmann, U., Weger, Peter, Mayr, P., Matz, R.
Publikationsart
Konferenzveröffentlichung
Erscheinungsjahr
2005
Verlag
München : IMAPS Deutschland
Quelle
Deutsche IMAPS-Konferenz 2005, 10. - 11.10.05, München

A 4.8-6 GHz IEEE 802.11a WLAN SiGe-Bipolar Power Amplifier with On-chip Output Matching

Autor(en)
Vasylyev, Andriy, Käll, Marcus, Bakalski, Winfried, Schmid, Alfons, Simbürger, Werner, Kitlinski, Krzysztof
Publikationsart
Konferenzveröffentlichung
Erscheinungsjahr
2005
Verlag
London : Horizon House Publ.
Quelle
Conference proceedings, 35th European Microwave Conference, Tuesday 4th, Wednesday 5th and Thursday 6th October 2005, Paris, France, part of 8th European Microwave Week (EuMW)], Bd. 3, S. 1427 - 1431

Ultra broadband 20.5-31 GHz monolithically integrated CMOS power amplifier

Autor(en)
Vasylyev, Andriy, Weger, Peter, Simbürger, Werner
Publikationsart
Artikel
Erscheinungsjahr
2005
Quelle
IEE electronic letters 41(2005)23, S. 1281-1282, 0013-5194

A Monolithic 2.4 GHz, 0.13 um CMOS Power Amplifier with 28 dBm Output Power and PAE at 1.2 V Supply

Autor(en)
Vasylyev, Andriy, Weger, Peter
Publikationsart
Konferenzveröffentlichung
Erscheinungsjahr
2004
Quelle
Conference Proceedings / 14th International Crimean Conference Microwave & Telecommunication Technology : September 13 - 17, 2004, Sevastopol, Crimea, Ukraine, 2004, S. 98-99, 966-796869-3

A fully integrated 5.3 GHz, 2.4 V, 0.3 W SiGe-bipolar power amplifier with 50 Ohm output

Autor(en)
Bakalski, Winfried, Vasylyev, Andriy
Publikationsart
Artikel
Erscheinungsjahr
2004
Quelle
IEEE journal of solid state circuits 39(2004)7, S.1006-1014, 0018-9200

A 0.35µm CMOS 1.9mA VCO-Core with Off-Chip Inductance on LTCC for System-in-a-Package Solutions of a 5-GHz-WLAN Transceiver

Autor(en)
Mecking, S., Debski, Wojciech Andrzej
Publikationsart
Konferenzveröffentlichung
Erscheinungsjahr
2003
Quelle
Proceedings / ProRISC 2003, 14th Annual Workshop, Veldhoven, Netherlands, 2003, S. 240-243, 90-73461-39-1

A fully integrated 5.3 GHz, 2.4 V, 0.3 W SiGe-bipolar power amplifier with 50 Ohm output

Autor(en)
Bakalski, Winfried, Vasylyev, Andriy, Simbürger, Werner, Scholtz, A. L., Thüringer, R.
Publikationsart
Konferenzveröffentlichung
Erscheinungsjahr
2003
Quelle
Proceedings of the 29th European Solid-State Circuits Conference, Estoril, Portugal, 16 - 18 September 2003, S. 561 - 564
ISBN
0-7803-7995-0

A 5 to 6.5 GHz LTCC Power Amplifier Module

Autor(en)
Ilkov, N., Dernovsek, O., Bakalski, Winfried, Weger, Peter, Matz, R., Simbürger, Werner
Publikationsart
Konferenzveröffentlichung
Erscheinungsjahr
2003
Verlag
Washington, DC : IMAPS
Quelle
Proceedings of the 36th International Symposium on Microelectronics (IMAPS), Boston, USA, 16 - 20 Nov. 2003, IEEE
ISBN
0-930815-71-8

A Fully Integrated 7-18 GHz Power Amplifier with On-Chip Output Balun in 75 GHz-fT SiGe-Bipolar

Autor(en)
Bakalski, Winfried, Scholtz, A. L., Vasylyev, Andriy, Weger, Peter, Simbürger, Werner, Thüringer, R., Wohlmuth, H.-D.
Publikationsart
Konferenzveröffentlichung
Erscheinungsjahr
2003
Verlag
Piscataway, NJ : IEEE Operations Center
Quelle
Proceedings of the Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting, Toulouse, France, 29 - 20 Sept. 2003, IEEE, S. 61 - 66
ISBN
0-7803-7800-8

60GHz and 76GHz Oscillators in µm SiGe:C BiCMOS

Autor(en)
Winkler, W., Borngräber, J., Heinemann, B.
Publikationsart
Teil eines Buches (Kapitel)
Erscheinungsjahr
2003
Quelle
Digest of technical papers / 2003 IEEE International Solid-State Circuits Conference, ISSCC : [February, 9, 10, 11, 12, and 13, 2003, San Francisco, California], Piscataway, NJ : IEEE Service Center, 2003, [Hauptbd.], S. 454 - 507, 0-7803-7707-9

A 5-6.5GHz LTCC Power Amplifier Module with 0.3W at 2.4V in Si-bipolar

Autor(en)
Bakalski, Winfried, Weger, Peter, Ilkov, N., Scholtz, A. L., Dernovsek, N., Matz, R., Simbürger, Werner
Publikationsart
Artikel
Erscheinungsjahr
2003
Quelle
Electronics Letters 39(2003)4, S. 375-376, 0013-5194

Unsere Webseite verwendet Cookies. Diese haben zwei Funktionen: Zum einen sind sie erforderlich für die grundlegende Funktionalität unserer Website. Zum anderen können wir mit Hilfe der Cookies unsere Inhalte für Sie immer weiter verbessern. Hierzu werden pseudonymisierte Daten von Website-Besuchern gesammelt und ausgewertet. Das Einverständnis in die Verwendung der technisch nicht notwendigen Cookies können Sie jeder Zeit wiederrufen. Weitere Informationen erhalten Sie auf unseren Seiten zum Datenschutz.

Erforderlich

Diese Cookies werden für eine reibungslose Funktion unserer Website benötigt.

Statistik

Für den Zweck der Statistik betreiben wir die Plattform Matomo, auf der mittels pseudonymisierter Daten von Websitenutzern der Nutzerfluss analysiert und beurteilt werden kann. Dies gibt uns die Möglichkeit Websiteinhalte zu optimieren.

Name Zweck Ablauf Typ Anbieter
_pk_id Wird verwendet, um ein paar Details über den Benutzer wie die eindeutige Besucher-ID zu speichern. 13 Monate HTML Matomo
_pk_ref Wird benutzt, um die Informationen der Herkunftswebsite des Benutzers zu speichern. 6 Monate HTML Matomo
_pk_ses Kurzzeitiges Cookie, um vorübergehende Daten des Besuchs zu speichern. 30 Minuten HTML Matomo