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A Novel System for Recovery Time Measurements of GaN-Based Low-Noise Amplifiers

Autor(en): Tomaz, Antonio, Gerlich, Stefan, Rudolph, Matthias, Andrei, Cristina
Publikationsart: Konferenzveröffentlichung referiert
Erscheinungsjahr: 2022
Verlag: IEEE
Quelle: 2022 14th German Microwave Conference (GeMiC), Ulm, 16-18 May 2022, S. 65 - 68
ISBN: 978-3-9820397-2-5
URL: https://ieeexplore.ieee.org/document/9783536

Transport of Charge Carriers along Dislocations in Si and Ge

Autor(en): Kittler, Martin, Reiche, Manfred, Schwartz, Bernhard, Uebensee, Hartmut, Kosina, Hans, Stanojevic, Zlatan, Baumgartner, Oskar, Ortlepp, Thomas
Publikationsart: Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert
Erscheinungsjahr: 2019
Quelle: Physica status solidi. A, Applications and materials science
Band/Jahrgang: Volume 216
Ausgabe/Heft: 17
ISSN: 1862-6319
DOI: https://doi.org/10.10002/pssa.201900287

Germanium-Laser für die Silizium-Photonik

Autor(en): Schwartz, Bernhard
Publikationsart: Dissertation
Erscheinungsjahr: 2019
URL: https://opus4.kobv.de/opus4-btu/frontdoor/index/index/docId/4864
DOI: https://doi.org/10.26127/BTUOpen-4864

Limiting the Output Power of Rugged GaN LNAs

Autor(en): Kaule, Evelyne, Andrei, Cristina, Gerlich, Stefan, Dörner, Ralf, Rudolph, Matthias
Publikationsart: Konferenzveröffentlichung referiert
Erscheinungsjahr: 2019
Freie Schlagworte: Power generation; Logic Gates; Gallium nitride; Attenuators; HEMTs; Printed circuits; Power measurement; Limit; GaN; HEMT; ruggedness; low noise amplifier (LNA); receiver
Quelle: 14th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC), S. 240 - 242
ISBN: 978-2-87487-056-9; 978-1-7281-0768-4
DOI: https://doi.org/10.23919/EuMIC.2019.8909653

Limiting the Output Power of Rugged GaN LNAs

Autor(en): Kaule, Evelyne, Andrei, Cristina, Gerlich, Stefan, Dörner, Ralf, Rudolph, Matthias
Publikationsart: Konferenzveröffentlichung referiert
Erscheinungsjahr: 2019
Freie Schlagworte: Power generation; Logic Gates; Gallium nitride; Attenuators; HEMTs; Printed circuits; Power measurement; Limit; GaN; HEMT; ruggedness; low noise amplifier (LNA); receiver
Quelle: Proceedings of 49th European Microwave Conference (EuMC), S. 794 - 796
ISBN: 978-2-87487-055-2; 978-1-7281-1798-0
DOI: https://doi.org/10.23919/EuMC.2019.8910675

Combined DLTS/MCTS investigations of deep electrical levels of regular dislocation networks in silicon

Autor(en): Trushin, Maxim, Varlamov, A., Loshachenko, A., Vyvenko, Oleg F., Kittler, Martin
Publikationsart: Konferenzveröffentlichung referiert
Erscheinungsjahr: 2019
Quelle: Journal of Physics: Conference Series
DOI: https://doi.org/10.1088/1742-6596/1190/1/012005

Temperature dependence of luminescence from dislocated Ge on Si substrate

Autor(en): Schwartz, Bernhard, Reiche, Manfred, Kittler, Martin
Publikationsart: Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert
Erscheinungsjahr: 2018
Quelle: Materials Today: Proceedings, S. 14712 - 14721
Band/Jahrgang: 5
Ausgabe/Heft: 3,1
ISSN: 2214-7853
DOI: https://doi.org/10.1016/j.matpr.2018.03.061

Impact of Defect-Induced Strain on Device Properties

Autor(en): Reiche, Manfred, Kittler, Martin, Pippel, Eckhard, Übensee, Hartmut, Kosina, Hans, Grill, Alexander, Stanojevic, Zlatan, Baumgartner, Oskar
Publikationsart: Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert
Erscheinungsjahr: 2017
Quelle: Advanced Engineering Materials
Band/Jahrgang: 19
Ausgabe/Heft: 8
ISSN: 1527-2648
DOI: https://doi.org/10.1002/adem.201600736

Influence of strain, donor concentration, carrier confinement, and dislocation density on the efficiency of luminiscence of Ge-based structures on Si substrate

Autor(en): Schwartz, Bernhard, Reiche, Manfred, Kittler, Martin
Publikationsart: Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert
Erscheinungsjahr: 2017
Quelle: Physica Status Solidi : C, Current Topics in Solid State Physics, S. 1700018-1 - 1700018-5
Band/Jahrgang: 14
Ausgabe/Heft: 7
ISSN: 1610-1642
URL: http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/pssc.201700018/full

Luminescence of strained Ge on GeSn virtual substrate grown on Si (001)

Autor(en): Schwartz, Bernhard, Oehme, Michael, Körner, Roman, Bechler, Stefan, Schulze, Jörg, Kittler, Martin
Publikationsart: Konferenzveröffentlichung
Erscheinungsjahr: 2017
Verlag: Bellingham, Washington : SPIE
Quelle: Silicon Photonics XII, 30 January-1 February 2017, San Francisco, California, United States
ISBN: 978-1-5106-0657-9
DOI: https://doi.org/10.1117/12.2249564
Schriftenreihe(n) ; Bandnummer: Proceedings of SPIE ; 10108

Grain boundary light beam induced current: A characterization of bonded silicon wafers and polycrystalline silicon thin films for diffusion length extraction

Autor(en): Gref, Orman, Teodoreanu, Ana-Maria, Leihkauf, Rainer, Lohrke, Heiko, Kittler, Martin, Amkreutz, Daniel, Boit, Christian, Friedrich, Felice
Publikationsart: Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert
Erscheinungsjahr: 2016
Quelle: Physica Status Solid A, S. 1728 - 1737
Band/Jahrgang: 213
Ausgabe/Heft: 7
ISSN: 1862-6319
DOI: https://doi.org/10.1002/pssa.201532987

Electronic properties of dislocations

Autor(en): Reiche, Manfred, Kittler, Martin, Übensee, Hartmut, Pippel, Eckhard, Haehnel, Angelika, Birner, Stefan
Publikationsart: Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert
Erscheinungsjahr: 2016
Quelle: Appl. Phys. A (2016)
Band/Jahrgang: April 2016 122:389
DOI: https://doi.org/10.1007/s00339-016-9836-x

Electronic and Optical Properties of Dislocations in Silicon

Autor(en): Reiche, Manfred, Kittler, Martin
Publikationsart: Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert
Erscheinungsjahr: 2016
Quelle: Crystals
Band/Jahrgang: 6
Ausgabe/Heft: 7
ISSN: 2073-4352
DOI: https://doi.org/10.3390/cryst6070074

Photoluminescence from ultrathin Ge-rich multiple quantum wells observed up to room temperature: Experiments and modeling

Autor(en): Wendav, Torsten, Fischer, Inga Anita, Virgilio, Michele, Capellini, Giovanni, Oliveira, F., Cerqueira, M. F., Benedetti, A., Chiussi, Stefano, Zaumseil, Peter, Schwartz, Bernhard, Busch, Kurt, Schulze, J.
Publikationsart: Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert
Erscheinungsjahr: 2016
Quelle: Physical Review B 94, S. 245304
Band/Jahrgang: 94
Ausgabe/Heft: 24
DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.94.245304

Ge and GeSn Light Emitters on Si

Autor(en): Oehme, Michael, Gollhofer, Martin, Kostecki, Konrad, Körner, Roman, Bechler, Stefan, Widmann, Daniel, Aguirov, Tzanimir, Kittler, Martin, Schulze, Jörg
Publikationsart: Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert
Erscheinungsjahr: 2016
Quelle: Solid State Phenomena, S. 353 - 360
Band/Jahrgang: 242
ISSN: 1012-0394
DOI: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/SSP.242.353

Fully monolithically integrated X-Band amplifiers with frequency selective feedback

Autor(en): Gerlich, Stefan
Publikationsart: Dissertation
Erscheinungsjahr: 2016
Freie Schlagworte: Leistungsverstärker; Rauscharm; SiGe; Verstärker; X-Band; Amplifier; Low-Noise; PA; X-band; SiGe
URN: urn:nbn:de:kobv:co1-opus4-39255

The Zener-Emitter: A Novel Superluminescent Ge Optical Waveguide-Amplifier with 4.7 dB Gain at 92 mA Based on Free-Carrier Modulation by Drect Zener Tunneling Monolithically Integrated on Si

Autor(en): Körner, Roman, Schwarz, Daniel, Fischer, Inga Anita, Augel, Lion, Bechler, Stefan, Hänel, Linda A., Kern, Michael, Oehme, Michael, Rolseth, Erlend Granbo, Schwartz, Bernhard, Weißhaupt, David, Zhang, Wogong, Schulze, Jörg
Publikationsart: Konferenzveröffentlichung referiert
Erscheinungsjahr: 2016
Verlag: Piscataway, NJ : IEEE
Quelle: 2016 IEEE International Electronic Devices Meeting (IEDM), 3-7 Dec. 2016, S. 2251 - 2254
ISBN: 978-1-5090-3901-2; 978-1-5090-3902-9

About dislocation and oxygen related luminescence of Si around 0.8 eV

Autor(en): Kittler, Martin, Arguirov, Tzanimir V., Reiche, Manfred, Krause, Christoph, Mankovics, Daniel
Publikationsart: Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert
Erscheinungsjahr: 2015
Quelle: Physica Status Solidi C, S. 1077 - 1080
Band/Jahrgang: 12
Ausgabe/Heft: 8
ISSN: 1610-1642
DOI: https://doi.org/10.1002/pssc.201400231

Strain and carrier transport along dislocations

Autor(en): Reiche, Manfred, Kittler, Martin, Pippel, Eckhard, Erfurth, Wilfried, Haehnel, Angelika, Übensee, Hartmut
Publikationsart: Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert
Erscheinungsjahr: 2015
Quelle: Physica Status Solidi C, S. 1071 - 1076
Band/Jahrgang: 12
Ausgabe/Heft: 8
ISSN: 1610-1642
DOI: https://doi.org/10.1002/pssc.201400298

Electronic Properties of Dislocations

Autor(en): Reiche, Manfred, Kittler, Martin, Pippel, Eckhard, Kosina, Hans, Lugstein, Alois, Übensee, Hartmut
Publikationsart: Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert
Erscheinungsjahr: 2015
Quelle: Solid State Phenomena, S. 141 - 146
Band/Jahrgang: 242
ISSN: 1012-0394
DOI: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/SSP.242.141

Analysis of EL Emitted by LEDs on Si Substrates Containing GeSn/Ge Multi Quantum Wells as Active Layers

Autor(en): Schwartz, Bernhard, Saring, Philipp, Arguirov, Tzanimir V., Oehme, Michael, Kostecki, Konrad, Kasper, Erich, Schulze, J., Kittler, Martin
Publikationsart: Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert
Erscheinungsjahr: 2015
Quelle: Solid State Phenomena, S. 361 - 367
Band/Jahrgang: 242
ISSN: 1012-0394
DOI: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/SSP.242.361

Light-emitting semiconductor structure and optoelectronic component therefrom

Autor(en): Kittler, Martin, Arguirov, Tzanimir V., Reiche, Manfred
Publikationsart: Patent
Erscheinungsjahr: 2015
Patentnummer: Anmeldenummer: 13/668, 330

Comparison of EL emitted by LEDs on Si substrates containing Ge and Ge/GeSn MQW as active layers

Autor(en): Schwartz, Bernhard, Arguirov, Tzanimir V., Kittler, Martin, Oehme, Michael, Kostecki, Konrad, Kasper, Erich, Schulze, Jörg
Publikationsart: Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel nicht referiert
Erscheinungsjahr: 2015
Verlag: International Society for Optics and Photonics
Quelle: Silicon Photonics X, 9-12 February 2015, San Francisco, California, United States
DOI: https://doi.org/10.1117/12.2080816
Schriftenreihe(n) ; Bandnummer: Proceedings of SPIE ; 9367

Physica Status Solidi : C

Herausgeber: Seibt, Michael, Kittler, Martin
Publikationsart: Periodikum
Erscheinungsjahr: 2015
Band/Jahrgang: 12
Ausgabe/Heft: 8
DOI: https://doi.org/10.1002/pssc.201570099

Electroluminescence of GeSn/Ge MQW LEDs on Si substrate

Autor(en): Schwartz, Bernhard, Oehme, Michael, Kostecki, Konrad, Widmann, Daniel, Gollhofer, Martin, Körner, Roman, Bechler, Stefan, Fischer, Inga Anita, Wendav, Torsten, Kasper, Erich, Schulze, Jörg, Kittler, Martin
Publikationsart: Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert
Erscheinungsjahr: 2015
Quelle: Optics Letters, S. 3209 - 3212
Band/Jahrgang: 40
Ausgabe/Heft: 13
DOI: https://doi.org/10.1364/OL40.003209

Impact of Dislocations and Dangling Bond Defects on The Electrical Performance of Crystalline Silicon Thin Films

Autor(en): Steffens, S., Becker, C., Amkreutz, Daniel, Klossek, André, Kittler, Martin, Chen, Y.-Y., Schnegg, Alexander, Klingsporn, Max, Abou-Ras, Daniel, Lips, Klaus, Rech, Bernd
Publikationsart: Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert
Erscheinungsjahr: 2014
Quelle: Applied Physics Letters, S. 022108
Band/Jahrgang: 105
Ausgabe/Heft: 2
ISSN: 1077-3118; 0003-6951
DOI: https://doi.org/10.1063/1.4890625

Carrier Transport on Dislocations

Autor(en): Reiche, Manfred, Kittler, Martin, Krause, M., Übensee, Hartmut
Herausgeber: Cavallini, Anna, Estreicher, Stefan K.
Publikationsart: Konferenzveröffentlichung
Erscheinungsjahr: 2014
Verlag: Melville, New York : AIP Publishing
Quelle: International Conference on Defects in Semiconductors 2013, proceedings of the 27th International Conference on Defects in Semiconductors, ICDS-2013, Bologna, Italy, 21-26 July 2013
ISBN: 978-0-7354-1215-6
DOI: https://doi.org/10.1063/1.4865599
Schriftenreihe(n) ; Bandnummer: AIP conference proceedings ; 1583,1

Dislocations as Native Nanostructures - Electronic Properties

Autor(en): Reiche, Manfred, Kittler, Martin, Übensee, Hartmut, Pippel, Eckhard, Hopfe, Sigrid
Publikationsart: Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert
Erscheinungsjahr: 2014
Quelle: Advances in Nano Research, S. 1 - 14
Band/Jahrgang: 2
Ausgabe/Heft: 1
ISSN: 2287-2388; 2287-237X
DOI: https://doi.org/10.12989/anr.2014.2.1.001

On the Electronic Properties of a Single Dislocation

Autor(en): Reiche, Manfred, Kittler, Martin, Erfurth, Wilfried, Pippel, Eckhard, Sklarek, Kornelia, Blumtritt, Horst, Haehnel, Angelika, Übensee, Hartmut
Publikationsart: Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert
Erscheinungsjahr: 2014
Quelle: Journal of Applied Physics, S. 194303
Band/Jahrgang: 115
Ausgabe/Heft: 19
ISSN: 1089-7550
DOI: https://doi.org/10.1063/1.4876265

Single Dislocations as Nanostructure Devices: Physics and Applications

Autor(en): Reiche, Manfred, Kittler, Martin, Übensee, Hartmut, Pippel, Eckhard, Erfurth, Wilfried
Publikationsart: Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert
Erscheinungsjahr: 2014
Quelle: ECS Transactions, S. 267 - 281
Band/Jahrgang: 64
Ausgabe/Heft: 11
DOI: https://doi.org/10.1149/06411.0267ecst

Light Induced Crystallization of an Amorphous Silicon Film Embedded Between Silicon Oxide Layers

Autor(en): Schade, Martin, Mchedlidze, Teimuraz, Kittler, Martin, Leipner, Hartmut S.
Publikationsart: Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert
Erscheinungsjahr: 2014
Quelle: Physica Status Solidi B, S. 439 - 445
Band/Jahrgang: 251
Ausgabe/Heft: 2
DOI: https://doi.org/10.1002/pssb.201349143

Electroluminescence of Germanium-LEDs on Silicon

Autor(en): Schwartz, Bernhard, Klossek, Andre, Kittler, Martin, Oehme, Michael, Kasper, Erich, Schulze, Jörg
Publikationsart: Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert
Erscheinungsjahr: 2014
Quelle: Physica Status Solidi C, S. 1686 - 1691
Band/Jahrgang: 11
Ausgabe/Heft: 11-12
DOI: https://doi.org/10.1002/pssc.201400056

Luminescence from Germanium and Germanium on Silicon

Autor(en): Arguirov, Tzanimir V., Kittler, Martin, Oehme, Michael, Abrosimov, Nikolay V., Vyvenko, Oleg F., Kasper, Erich, Schulze, Jörg
Publikationsart: Konferenzveröffentlichung
Erscheinungsjahr: 2014
Verlag: Durnten-Zurich [u.a.] : Trans Tech Publ.
Quelle: Gettering and defect engineering in semiconductor technology XV, selected papers from the 15th Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology Conference, September 22 - 27, 2013, Oxford, UK, S. 383 - 393
DOI: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/SSP.205-206.383
Schriftenreihe(n) ; Bandnummer: Solid state phenomena ; 205/206

Charge Carrier Transport Along Grain Boundaries in Silicon

Autor(en): Kittler, Martin, Reiche, Manfred, Krause, Hans-Michael
Publikationsart: Konferenzveröffentlichung
Erscheinungsjahr: 2014
Verlag: Durnten-Zurich [u.a.] : Trans Tech Publ.
Quelle: Gettering and defect engineering in semiconductor technology XV, selected papers from the 15th Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology Conference, September 22 - 27, 2013, Oxford, UK, S. 293 - 298
DOI: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/SSP.205-206.293
Schriftenreihe(n) ; Bandnummer: Solid state phenomena ; 205/206

Properties of D3-Like (0,93 eV) Luminescence in Solar Grade Silicon

Autor(en): Krause, Christoph, Arguirov, Tzanimir V., Mankovics, Daniel, Krause, Hans-Michael, Kittler, Martin
Publikationsart: Konferenzveröffentlichung
Erscheinungsjahr: 2014
Verlag: Durnten-Zurich [u.a.] : Trans Tech Publ.
Quelle: Gettering and defect engineering in semiconductor technology XV, selected papers from the 15th Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology Conference, September 22 - 27, 2013, Oxford, UK, S. 83 - 88
DOI: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/SSP.205-206.83
Schriftenreihe(n) ; Bandnummer: Solid state phenomena ; 205/206

GeSn Heterojunction LEDs on Si Substrates

Autor(en): Oehme, Michael, Kostecki, Konrad, Arguirov, Tzanimir V., Mussler, Gregor, Ye, Kaiheng, Gollhofer, Martin, Schmid, Marc, Kaschel, Mathias, Körner, Roman, Kittler, Martin, Buca, Dan, Kasper, Erich, Schulze, Jörg
Publikationsart: Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert
Erscheinungsjahr: 2014
Quelle: IEEE Photonics Technology Letters, S. 187 - 189
Band/Jahrgang: 26
Ausgabe/Heft: 2
ISSN: 1041-1135
DOI: https://doi.org/10.1109/LPT.2013.2291571

GeSn/Ge Multi Quantum Well Photodetectors on Si Substrates

Autor(en): Oehme, Michael, Widmann, Daniel, Kostecki, Konrad, Zaumseil, Peter, Schwartz, Bernhard, Gollhofer, Martin, Körner, Roman, Bechler, Stefan, Kittler, Martin, Kasper, Erich, Schulze, Jörg
Publikationsart: Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert
Erscheinungsjahr: 2014
Quelle: Optics Letters, S. 4711 - 4714
Band/Jahrgang: 39
Ausgabe/Heft: 16
ISSN: 1539-4794
DOI: https://doi.org/10.1364/OL.39.004711

Trap-Assisted Tunneling on Extended Defects in Tunnel Field-Effect Transistors

Autor(en): Reiche, Manfred, Kittler, Martin, Übensee, Hartmut, Krause, Michael, Pippel, Eckhard
Publikationsart: Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert
Erscheinungsjahr: 2014
Quelle: Japanese Journal of Applied Physics, S. 1 - 6
Band/Jahrgang: 53
Ausgabe/Heft: 4S, 04EC03
ISSN: 1347-4065
DOI: https://doi.org/10.7567/JJAP.53.04EC03

Single-Electron Transitions In One-Dimensional Native Nanostructures

Autor(en): Reiche, M., Kittler, Martin, Schmelz, M., Stolz, R., Pippel, E., Übensee, Hartmut, Kermann, M., Ortlepp, Thomas
Publikationsart: Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert
Erscheinungsjahr: 2014
Quelle: Journal of Physics: Conference Series, S. 052024
Band/Jahrgang: 568
ISSN: 1742-6588
DOI: https://doi.org/10.1088/1742-6596/568/5/052024

Highly Efﬁcient Packaged 11-13 GHz Power Ampliﬁer in SiGe-Technology With 37.3% of PAE

Autor(en): Gerlich, Stefan, Weger, Peter
Publikationsart: Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert
Erscheinungsjahr: 2013
Freie Schlagworte: Power amplifier
Quelle: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, S. 539 - 541
Band/Jahrgang: 23
Ausgabe/Heft: 10
ISSN: 1531-1309
DOI: https://doi.org/10.1109/LMWC.2013.2278285

A Narrow-band 8.7 GHz SiGe HBT LNA with a Passive Frequency Selective Feedback

Autor(en): Gerlich, Stefan, Weger, Peter
Publikationsart: Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert
Erscheinungsjahr: 2012
Freie Schlagworte: LNA; Radiofrequency Integrated Circuits
Quelle: Frequenz, S. 183 - 188
Band/Jahrgang: 66
Ausgabe/Heft: 7-8
ISSN: 0016-1136; 2191-6349
DOI: https://doi.org/10.1515/freq-2012-0037

Hybrid cascode with an isolated NLDMOS and HBT for X-Band power amplifier applications

Autor(en): Wipf, Christian, Sorge, Roland, Weger, Peter
Publikationsart: Konferenzveröffentlichung
Erscheinungsjahr: 2011
Verlag: Piscataway : IEEE
Quelle: Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems (SiRF), IEEE 11th Topical Meeting on, Phoenix, AZ, 2011, S. 121 - 124
ISBN: 978-1-4244-8060-9
DOI: https://doi.org/10.1109/SIRF.2011.5719310

Fully monolithically integrated X-band power amplifier without external matching

Autor(en): Meshcheriakov, Ievgenii, Solomko, Valentyn A., Weger, Peter
Publikationsart: Konferenzveröffentlichung
Erscheinungsjahr: 2010
Verlag: Piscataway, NJ : IEEE
Quelle: Conference on Ph.D. Research in Microelectronics and Electronics (PRIME) 2010, Berlin, Institute of Technology, S. 1 - 4
ISBN: 978-1-424-47905-4

A Fully Integrated 3.3-3.8-GHz Power Amplifier With Autotransformer Balun

Autor(en): Solomko, Valentyn A., Weger, Peter
Publikationsart: Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert
Erscheinungsjahr: 2009
Quelle: IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 57(2009)9, S. 2160-2172, 0018-9480

Monolithically integrated ?? frequency synthesiser with distributed reference spurs

Autor(en): Solomko, Valentyn A., Weger, Peter
Publikationsart: Artikel
Erscheinungsjahr: 2008
Quelle: IET circuits, devices and systems 2(2008)6, S. 527-536, 1751-858X

Monolithically integrated Sigma-Delta Frequency Synthesizers in 0.13 µm CMOS

Autor(en): Solomko, Valentyn A.
Publikationsart: Dissertation
Erscheinungsjahr: 2008
Freie Schlagworte: Integrierte Schaltung; Frequenzsynthese; CMOS-Schaltung; Sigma-Delta-Wandler
URN: urn:nbn:de:kobv:co1-opus-4656

A Monolithically Integrated 23-24 GHz Tuned Down-Converter in 0.13 µm CMOS

Autor(en): Debski, Wojciech Andrzej, Weger, Peter
Publikationsart: Artikel
Erscheinungsjahr: 2007
Quelle: Frequenz : journal of RF-engineering and telecommunications 61(2007)7-8, S. 178-181, 0016-1136

5-6 GHz Low-Power, High Linearity Differential CMOS LNA with Robust ESD Protection

Autor(en): Debski, Wojciech Andrzej, Weger, Peter
Publikationsart: Artikel
Erscheinungsjahr: 2007
Quelle: Frequenz : journal of RF-engineering and telecommunications 61(2007)5-6, S. 110-112, 0016-1136

Multi-band adaptive WLAN receivers in 0.13 µm CMOS

Autor(en): Debski, Wojciech Andrzej
Publikationsart: Dissertation
Erscheinungsjahr: 2007
Freie Schlagworte: Drahtloses lokales Netz; CMOS-Schaltung
URN: urn:nbn:de:kobv:co1-opus-3689

11 GHz CMOS frequency synthesiser

Autor(en): Solomko, Valentyn A., Weger, Peter
Publikationsart: Artikel
Erscheinungsjahr: 2006
Quelle: Electronic letters 42(2006)21, S. 1199-2000, 0013-5194

17 GHz 50-60 mW Power Amplifiers in 0.13 um standard CMOS

Autor(en): Vasylyev, Andriy, Weger, Peter, Bakalski, Winfried
Publikationsart: Artikel
Erscheinungsjahr: 2006
Quelle: IEEE microwave and wireless components letters 16(2006)1, S. 37-39, 1051-8207

Integrated RF power amplifier design in silicon based technologies

Autor(en): Vasylyev, Andriy
Publikationsart: Dissertation
Erscheinungsjahr: 2006
Freie Schlagworte: Siliciumbauelement; Radiofrequenzbereich; Verstärker; Leistungsverstärker; CMOS
URN: urn:nbn:de:kobv:co1-opus-202

A 4.8-6 GHz IEEE 802.11a WLAN SiGe-Bipolar Power Amplifier with On-chip Output Matching

Autor(en): Vasylyev, Andriy, Käll, Marcus, Bakalski, Winfried, Schmid, Alfons, Simbürger, Werner, Kitlinski, Krzysztof
Publikationsart: Konferenzveröffentlichung
Erscheinungsjahr: 2005
Verlag: London : Horizon House Publ.
Quelle: Conference proceedings, 35th European Microwave Conference, Tuesday 4th, Wednesday 5th and Thursday 6th October 2005, Paris, France, part of 8th European Microwave Week (EuMW)], Bd. 3, S. 1427 - 1431

Fully-integrated 32 dBm, 1.5-2.9 GHz SiGe-bipolar power amplifier using power-combining transformer

Autor(en): Vasylyev, Andriy, Weger, Peter, Bakalski, Winfried, Simbürger, Werner
Publikationsart: Artikel
Erscheinungsjahr: 2005
Quelle: Electronic letters 41(2005)16, S. 35-36, 0013-5194

Keramische System-in-Package-Technologie für 5GHz-Transceivermodul

Autor(en): Debski, Wojciech Andrzej, Langmann, U., Weger, Peter, Mayr, P., Matz, R.
Publikationsart: Konferenzveröffentlichung
Erscheinungsjahr: 2005
Verlag: München : IMAPS Deutschland
Quelle: Deutsche IMAPS-Konferenz 2005, 10. - 11.10.05, München

Ultra broadband 20.5-31 GHz monolithically integrated CMOS power amplifier

Autor(en): Vasylyev, Andriy, Weger, Peter, Simbürger, Werner
Publikationsart: Artikel
Erscheinungsjahr: 2005
Quelle: IEE electronic letters 41(2005)23, S. 1281-1282, 0013-5194

A Monolithic 2.4 GHz, 0.13 um CMOS Power Amplifier with 28 dBm Output Power and PAE at 1.2 V Supply

Autor(en): Vasylyev, Andriy, Weger, Peter
Publikationsart: Konferenzveröffentlichung
Erscheinungsjahr: 2004
Quelle: Conference Proceedings / 14th International Crimean Conference Microwave & Telecommunication Technology : September 13 - 17, 2004, Sevastopol, Crimea, Ukraine, 2004, S. 98-99, 966-796869-3

A fully integrated 5.3 GHz, 2.4 V, 0.3 W SiGe-bipolar power amplifier with 50 Ohm output

Autor(en): Bakalski, Winfried, Vasylyev, Andriy
Publikationsart: Artikel
Erscheinungsjahr: 2004
Quelle: IEEE journal of solid state circuits 39(2004)7, S.1006-1014, 0018-9200

A 5 to 6.5 GHz LTCC Power Amplifier Module

Autor(en): Ilkov, N., Dernovsek, O., Bakalski, Winfried, Weger, Peter, Matz, R., Simbürger, Werner
Publikationsart: Konferenzveröffentlichung
Erscheinungsjahr: 2003
Verlag: Washington, DC : IMAPS
Quelle: Proceedings of the 36th International Symposium on Microelectronics (IMAPS), Boston, USA, 16 - 20 Nov. 2003, IEEE
ISBN: 0-930815-71-8

A 0.35µm CMOS 1.9mA VCO-Core with Off-Chip Inductance on LTCC for System-in-a-Package Solutions of a 5-GHz-WLAN Transceiver

Autor(en): Mecking, S., Debski, Wojciech Andrzej
Publikationsart: Konferenzveröffentlichung
Erscheinungsjahr: 2003
Quelle: Proceedings / ProRISC 2003, 14th Annual Workshop, Veldhoven, Netherlands, 2003, S. 240-243, 90-73461-39-1

60GHz and 76GHz Oscillators in µm SiGe:C BiCMOS

Autor(en): Winkler, W., Borngräber, J., Heinemann, B.
Publikationsart: Teil eines Buches (Kapitel)
Erscheinungsjahr: 2003
Quelle: Digest of technical papers / 2003 IEEE International Solid-State Circuits Conference, ISSCC : [February, 9, 10, 11, 12, and 13, 2003, San Francisco, California], Piscataway, NJ : IEEE Service Center, 2003, [Hauptbd.], S. 454 - 507, 0-7803-7707-9

A Fully Integrated 7-18 GHz Power Amplifier with On-Chip Output Balun in 75 GHz-fT SiGe-Bipolar

Autor(en): Bakalski, Winfried, Scholtz, A. L., Vasylyev, Andriy, Weger, Peter, Simbürger, Werner, Thüringer, R., Wohlmuth, H.-D.
Publikationsart: Konferenzveröffentlichung
Erscheinungsjahr: 2003
Verlag: Piscataway, NJ : IEEE Operations Center
Quelle: Proceedings of the Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting, Toulouse, France, 29 - 20 Sept. 2003, IEEE, S. 61 - 66
ISBN: 0-7803-7800-8

A fully integrated 5.3 GHz, 2.4 V, 0.3 W SiGe-bipolar power amplifier with 50 Ohm output

Autor(en): Bakalski, Winfried, Vasylyev, Andriy, Simbürger, Werner, Scholtz, A. L., Thüringer, R.
Publikationsart: Konferenzveröffentlichung
Erscheinungsjahr: 2003
Quelle: Proceedings of the 29th European Solid-State Circuits Conference, Estoril, Portugal, 16 - 18 September 2003, S. 561 - 564
ISBN: 0-7803-7995-0

A 5-6.5GHz LTCC Power Amplifier Module with 0.3W at 2.4V in Si-bipolar

Autor(en): Bakalski, Winfried, Weger, Peter, Ilkov, N., Scholtz, A. L., Dernovsek, N., Matz, R., Simbürger, Werner
Publikationsart: Artikel
Erscheinungsjahr: 2003
Quelle: Electronics Letters 39(2003)4, S. 375-376, 0013-5194

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