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Zielgruppen Querverweise
A Novel System for Recovery Time Measurements of GaN-Based Low-Noise Amplifiers Autor(en) Tomaz, Antonio, Gerlich, Stefan, Rudolph, Matthias, Andrei, Cristina Publikationsart Konferenzveröffentlichung referiert Erscheinungsjahr 2022 Verlag IEEE Quelle 2022 14th German Microwave Conference (GeMiC), Ulm, 16-18 May 2022, S. 65 - 68 ISBN 978-3-9820397-2-5 URL https://ieeexplore.ieee.org/document/9783536 Limiting the Output Power of Rugged GaN LNAs Autor(en) Kaule, Evelyne, Andrei, Cristina, Gerlich, Stefan, Dörner, Ralf, Rudolph, Matthias Publikationsart Konferenzveröffentlichung referiert Erscheinungsjahr 2019 Freie Schlagworte Power generation; Logic Gates; Gallium nitride; Attenuators; HEMTs; Printed circuits; Power measurement; Limit; GaN; HEMT; ruggedness; low noise amplifier (LNA); receiver Quelle 14th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC), S. 240 - 242 ISBN 978-2-87487-056-9 978-1-7281-0768-4 DOI https://doi.org/10.23919/EuMIC.2019.8909653 Limiting the Output Power of Rugged GaN LNAs Autor(en) Kaule, Evelyne, Andrei, Cristina, Gerlich, Stefan, Dörner, Ralf, Rudolph, Matthias Publikationsart Konferenzveröffentlichung referiert Erscheinungsjahr 2019 Freie Schlagworte Power generation; Logic Gates; Gallium nitride; Attenuators; HEMTs; Printed circuits; Power measurement; Limit; GaN; HEMT; ruggedness; low noise amplifier (LNA); receiver Quelle Proceedings of 49th European Microwave Conference (EuMC), S. 794 - 796 ISBN 978-2-87487-055-2 978-1-7281-1798-0 DOI https://doi.org/10.23919/EuMC.2019.8910675 Germanium-Laser für die Silizium-Photonik Autor(en) Schwartz, Bernhard Publikationsart Dissertation Erscheinungsjahr 2019 URL https://opus4.kobv.de/opus4-btu/frontdoor/index/index/docId/4864 DOI https://doi.org/10.26127/BTUOpen-4864 Transport of Charge Carriers along Dislocations in Si and Ge Autor(en) Kittler, Martin, Reiche, Manfred, Schwartz, Bernhard, Übensee, Hartmut, Kosina, Hans, Stanojevic, Zlatan, Baumgartner, Oskar, Ortlepp, Thomas Publikationsart Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert Erscheinungsjahr 2019 Quelle Physica status solidi. A, Applications and materials science Band/Jahrgang Volume 216 Ausgabe/Heft 17 ISSN 1862-6319 DOI https://doi.org/10.10002/pssa.201900287 Combined DLTS/MCTS investigations of deep electrical levels of regular dislocation networks in silicon Autor(en) Trushin, Maxim, Varlamov, A., Loshachenko, A., Vyvenko, Oleg F., Kittler, Martin Publikationsart Konferenzveröffentlichung referiert Erscheinungsjahr 2019 Quelle Journal of Physics: Conference Series DOI https://doi.org/10.1088/1742-6596/1190/1/012005 Temperature dependence of luminescence from dislocated Ge on Si substrate Autor(en) Schwartz, Bernhard, Reiche, Manfred, Kittler, Martin Publikationsart Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert Erscheinungsjahr 2018 Quelle Materials Today: Proceedings, S. 14712 - 14721 Band/Jahrgang 5 Ausgabe/Heft 3,1 ISSN 2214-7853 DOI https://doi.org/10.1016/j.matpr.2018.03.061 Impact of Defect-Induced Strain on Device Properties Autor(en) Reiche, Manfred, Kittler, Martin, Pippel, Eckhard, Übensee, Hartmut, Kosina, Hans, Grill, Alexander, Stanojevic, Zlatan, Baumgartner, Oskar Publikationsart Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert Erscheinungsjahr 2017 Quelle Advanced Engineering Materials Band/Jahrgang 19 Ausgabe/Heft 8 ISSN 1527-2648 DOI https://doi.org/10.1002/adem.201600736 Luminescence of strained Ge on GeSn virtual substrate grown on Si (001) Autor(en) Schwartz, Bernhard, Oehme, Michael, Körner, Roman, Bechler, Stefan, Schulze, Jörg, Kittler, Martin Publikationsart Konferenzveröffentlichung Erscheinungsjahr 2017 Verlag Bellingham, Washington : SPIE Quelle Silicon Photonics XII, 30 January-1 February 2017, San Francisco, California, United States ISBN 978-1-5106-0657-9 DOI https://doi.org/10.1117/12.2249564 Schriftenreihe(n) ; Bandnummer Proceedings of SPIE ; 10108 Influence of strain, donor concentration, carrier confinement, and dislocation density on the efficiency of luminiscence of Ge-based structures on Si substrate Autor(en) Schwartz, Bernhard, Reiche, Manfred, Kittler, Martin Publikationsart Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert Erscheinungsjahr 2017 Quelle Physica Status Solidi : C, Current Topics in Solid State Physics, S. 1700018-1 - 1700018-5 Band/Jahrgang 14 Ausgabe/Heft 7 ISSN 1610-1642 URL http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/pssc.201700018/full Fully monolithically integrated X-Band amplifiers with frequency selective feedback Autor(en) Gerlich, Stefan Publikationsart Dissertation Erscheinungsjahr 2016 Freie Schlagworte Leistungsverstärker; Rauscharm; SiGe; Verstärker; X-Band; Amplifier; Low-Noise; PA; X-band; SiGe URN urn:nbn:de:kobv:co1-opus4-39255 Grain boundary light beam induced current: A characterization of bonded silicon wafers and polycrystalline silicon thin films for diffusion length extraction Autor(en) Gref, Orman, Teodoreanu, Ana-Maria, Leihkauf, Rainer, Lohrke, Heiko, Kittler, Martin, Amkreutz, Daniel, Boit, Christian, Friedrich, Felice Publikationsart Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert Erscheinungsjahr 2016 Quelle Physica Status Solid A, S. 1728 - 1737 Band/Jahrgang 213 Ausgabe/Heft 7 ISSN 1862-6319 DOI https://doi.org/10.1002/pssa.201532987 Photoluminescence from ultrathin Ge-rich multiple quantum wells observed up to room temperature: Experiments and modeling Autor(en) Wendav, Torsten, Fischer, Inga Anita, Virgilio, Michele, Capellini, Giovanni, Oliveira, F., Cerqueira, M. F., Benedetti, Alessandro, Chiussi, Stefano, Zaumseil, Peter, Schwartz, Bernhard, Busch, Kurt, Schulze, J. Publikationsart Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert Erscheinungsjahr 2016 Quelle Physical Review B 94, S. 245304 Band/Jahrgang 94 Ausgabe/Heft 24 DOI https://doi.org/10.1103/PhysRevB.94.245304 Electronic properties of dislocations Autor(en) Reiche, Manfred, Kittler, Martin, Übensee, Hartmut, Pippel, Eckhard, Haehnel, Angelika, Birner, Stefan Publikationsart Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert Erscheinungsjahr 2016 Quelle Appl. Phys. A (2016) Band/Jahrgang April 2016 122:389 DOI https://doi.org/10.1007/s00339-016-9836-x Ge and GeSn Light Emitters on Si Autor(en) Oehme, Michael, Gollhofer, Martin, Kostecki, Konrad, Körner, Roman, Bechler, Stefan, Widmann, Daniel, Aguirov, Tzanimir, Kittler, Martin, Schulze, Jörg Publikationsart Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert Erscheinungsjahr 2016 Quelle Solid State Phenomena, S. 353 - 360 Band/Jahrgang 242 ISSN 1012-0394 DOI https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/SSP.242.353 Electronic and Optical Properties of Dislocations in Silicon Autor(en) Reiche, Manfred, Kittler, Martin Publikationsart Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert Erscheinungsjahr 2016 Quelle Crystals Band/Jahrgang 6 Ausgabe/Heft 7 ISSN 2073-4352 DOI https://doi.org/10.3390/cryst6070074 The Zener-Emitter: A Novel Superluminescent Ge Optical Waveguide-Amplifier with 4.7 dB Gain at 92 mA Based on Free-Carrier Modulation by Drect Zener Tunneling Monolithically Integrated on Si Autor(en) Körner, Roman, Schwarz, Daniel, Fischer, Inga Anita, Augel, Lion, Bechler, Stefan, Hänel, Linda A., Kern, Michael, Oehme, Michael, Rolseth, Erlend Granbo, Schwartz, Bernhard, Weißhaupt, David, Zhang, Wogong, Schulze, Jörg Publikationsart Konferenzveröffentlichung referiert Erscheinungsjahr 2016 Verlag Piscataway, NJ : IEEE Quelle 2016 IEEE International Electronic Devices Meeting (IEDM), 3-7 Dec. 2016, S. 2251 - 2254 ISBN 978-1-5090-3901-2 978-1-5090-3902-9 Comparison of EL emitted by LEDs on Si substrates containing Ge and Ge/GeSn MQW as active layers Autor(en) Schwartz, Bernhard, Arguirov, Tzanimir V., Kittler, Martin, Oehme, Michael, Kostecki, Konrad, Kasper, Erich, Schulze, Jörg Publikationsart Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel nicht referiert Erscheinungsjahr 2015 Verlag International Society for Optics and Photonics Quelle Silicon Photonics X, 9-12 February 2015, San Francisco, California, United States DOI https://doi.org/10.1117/12.2080816 Schriftenreihe(n) ; Bandnummer Proceedings of SPIE ; 9367 Electroluminescence of GeSn/Ge MQW LEDs on Si substrate Autor(en) Schwartz, Bernhard, Oehme, Michael, Kostecki, Konrad, Widmann, Daniel, Gollhofer, Martin, Körner, Roman, Bechler, Stefan, Fischer, Inga Anita, Wendav, Torsten, Kasper, Erich, Schulze, Jörg, Kittler, Martin Publikationsart Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert Erscheinungsjahr 2015 Quelle Optics Letters, S. 3209 - 3212 Band/Jahrgang 40 Ausgabe/Heft 13 DOI https://doi.org/10.1364/OL40.003209 About dislocation and oxygen related luminescence of Si around 0.8 eV Autor(en) Kittler, Martin, Arguirov, Tzanimir V., Reiche, Manfred, Krause, Christoph, Mankovics, Daniel Publikationsart Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert Erscheinungsjahr 2015 Quelle Physica Status Solidi C, S. 1077 - 1080 Band/Jahrgang 12 Ausgabe/Heft 8 ISSN 1610-1642 DOI https://doi.org/10.1002/pssc.201400231 Strain and carrier transport along dislocations Autor(en) Reiche, Manfred, Kittler, Martin, Pippel, Eckhard, Erfurth, Wilfried, Haehnel, Angelika, Übensee, Hartmut Publikationsart Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert Erscheinungsjahr 2015 Quelle Physica Status Solidi C, S. 1071 - 1076 Band/Jahrgang 12 Ausgabe/Heft 8 ISSN 1610-1642 DOI https://doi.org/10.1002/pssc.201400298 Electronic Properties of Dislocations Autor(en) Reiche, Manfred, Kittler, Martin, Pippel, Eckhard, Kosina, Hans, Lugstein, Alois, Übensee, Hartmut Publikationsart Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert Erscheinungsjahr 2015 Quelle Solid State Phenomena, S. 141 - 146 Band/Jahrgang 242 ISSN 1012-0394 DOI https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/SSP.242.141 Analysis of EL Emitted by LEDs on Si Substrates Containing GeSn/Ge Multi Quantum Wells as Active Layers Autor(en) Schwartz, Bernhard, Saring, Philipp, Arguirov, Tzanimir V., Oehme, Michael, Kostecki, Konrad, Kasper, Erich, Schulze, J., Kittler, Martin Publikationsart Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert Erscheinungsjahr 2015 Quelle Solid State Phenomena, S. 361 - 367 Band/Jahrgang 242 ISSN 1012-0394 DOI https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/SSP.242.361 Physica Status Solidi : C Herausgeber Seibt, Michael, Kittler, Martin Publikationsart Periodikum Erscheinungsjahr 2015 Band/Jahrgang 12 Ausgabe/Heft 8 DOI https://doi.org/10.1002/pssc.201570099 Light-emitting semiconductor structure and optoelectronic component therefrom Autor(en) Kittler, Martin, Arguirov, Tzanimir V., Reiche, Manfred Publikationsart Patent Erscheinungsjahr 2015 Patentnummer Anmeldenummer: 13/668, 330 Impact of Dislocations and Dangling Bond Defects on The Electrical Performance of Crystalline Silicon Thin Films Autor(en) Steffens, S., Becker, C., Amkreutz, Daniel, Klossek, André, Kittler, Martin, Chen, Y.-Y., Schnegg, Alexander, Klingsporn, Max, Abou-Ras, Daniel, Lips, Klaus, Rech, Bernd Publikationsart Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert Erscheinungsjahr 2014 Quelle Applied Physics Letters, S. 022108 Band/Jahrgang 105 Ausgabe/Heft 2 ISSN 1077-3118 0003-6951 DOI https://doi.org/10.1063/1.4890625 Carrier Transport on Dislocations Autor(en) Reiche, Manfred, Kittler, Martin, Krause, M., Übensee, Hartmut Herausgeber Cavallini, Anna, Estreicher, Stefan K. Publikationsart Konferenzveröffentlichung Erscheinungsjahr 2014 Verlag Melville, New York : AIP Publishing Quelle International Conference on Defects in Semiconductors 2013, proceedings of the 27th International Conference on Defects in Semiconductors, ICDS-2013, Bologna, Italy, 21-26 July 2013 ISBN 978-0-7354-1215-6 DOI https://doi.org/10.1063/1.4865599 Schriftenreihe(n) ; Bandnummer AIP conference proceedings ; 1583,1 Dislocations as Native Nanostructures - Electronic Properties Autor(en) Reiche, Manfred, Kittler, Martin, Übensee, Hartmut, Pippel, Eckhard, Hopfe, Sigrid Publikationsart Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert Erscheinungsjahr 2014 Quelle Advances in Nano Research, S. 1 - 14 Band/Jahrgang 2 Ausgabe/Heft 1 ISSN 2287-2388 2287-237X DOI https://doi.org/10.12989/anr.2014.2.1.001 On the Electronic Properties of a Single Dislocation Autor(en) Reiche, Manfred, Kittler, Martin, Erfurth, Wilfried, Pippel, Eckhard, Sklarek, Kornelia, Blumtritt, Horst, Haehnel, Angelika, Übensee, Hartmut Publikationsart Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert Erscheinungsjahr 2014 Quelle Journal of Applied Physics, S. 194303 Band/Jahrgang 115 Ausgabe/Heft 19 ISSN 1089-7550 DOI https://doi.org/10.1063/1.4876265 Single Dislocations as Nanostructure Devices: Physics and Applications Autor(en) Reiche, Manfred, Kittler, Martin, Übensee, Hartmut, Pippel, Eckhard, Erfurth, Wilfried Publikationsart Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert Erscheinungsjahr 2014 Quelle ECS Transactions, S. 267 - 281 Band/Jahrgang 64 Ausgabe/Heft 11 DOI https://doi.org/10.1149/06411.0267ecst Single-Electron Transitions In One-Dimensional Native Nanostructures Autor(en) Reiche, Manfred, Kittler, Martin, Schmelz, Matthias, Stolz, Ronny, Pippel, Eckhard, Übensee, Hartmut, Kermann, M., Ortlepp, Thomas Publikationsart Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert Erscheinungsjahr 2014 Quelle Journal of Physics: Conference Series, S. 052024 Band/Jahrgang 568 ISSN 1742-6588 DOI https://doi.org/10.1088/1742-6596/568/5/052024 Light Induced Crystallization of an Amorphous Silicon Film Embedded Between Silicon Oxide Layers Autor(en) Schade, Martin, Mchedlidze, Teimuraz, Kittler, Martin, Leipner, Hartmut S. Publikationsart Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert Erscheinungsjahr 2014 Quelle Physica Status Solidi B, S. 439 - 445 Band/Jahrgang 251 Ausgabe/Heft 2 DOI https://doi.org/10.1002/pssb.201349143 Electroluminescence of Germanium-LEDs on Silicon Autor(en) Schwartz, Bernhard, Klossek, Andre, Kittler, Martin, Oehme, Michael, Kasper, Erich, Schulze, Jörg Publikationsart Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert Erscheinungsjahr 2014 Quelle Physica Status Solidi C, S. 1686 - 1691 Band/Jahrgang 11 Ausgabe/Heft 11-12 DOI https://doi.org/10.1002/pssc.201400056 Luminescence from Germanium and Germanium on Silicon Autor(en) Arguirov, Tzanimir V., Kittler, Martin, Oehme, Michael, Abrosimov, Nikolay V., Vyvenko, Oleg F., Kasper, Erich, Schulze, Jörg Publikationsart Konferenzveröffentlichung Erscheinungsjahr 2014 Verlag Durnten-Zurich [u.a.] : Trans Tech Publ. Quelle Gettering and defect engineering in semiconductor technology XV, selected papers from the 15th Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology Conference, September 22 - 27, 2013, Oxford, UK, S. 383 - 393 DOI https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/SSP.205-206.383 Schriftenreihe(n) ; Bandnummer Solid state phenomena ; 205/206 Charge Carrier Transport Along Grain Boundaries in Silicon Autor(en) Kittler, Martin, Reiche, Manfred, Krause, Hans-Michael Publikationsart Konferenzveröffentlichung Erscheinungsjahr 2014 Verlag Durnten-Zurich [u.a.] : Trans Tech Publ. Quelle Gettering and defect engineering in semiconductor technology XV, selected papers from the 15th Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology Conference, September 22 - 27, 2013, Oxford, UK, S. 293 - 298 DOI https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/SSP.205-206.293 Schriftenreihe(n) ; Bandnummer Solid state phenomena ; 205/206 Properties of D3-Like (0,93 eV) Luminescence in Solar Grade Silicon Autor(en) Krause, Christoph, Arguirov, Tzanimir V., Mankovics, Daniel, Krause, Hans-Michael, Kittler, Martin Publikationsart Konferenzveröffentlichung Erscheinungsjahr 2014 Verlag Durnten-Zurich [u.a.] : Trans Tech Publ. Quelle Gettering and defect engineering in semiconductor technology XV, selected papers from the 15th Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology Conference, September 22 - 27, 2013, Oxford, UK, S. 83 - 88 DOI https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/SSP.205-206.83 Schriftenreihe(n) ; Bandnummer Solid state phenomena ; 205/206 GeSn Heterojunction LEDs on Si Substrates Autor(en) Oehme, Michael, Kostecki, Konrad, Arguirov, Tzanimir V., Mussler, Gregor, Ye, Kaiheng, Gollhofer, Martin, Schmid, Marc, Kaschel, Mathias, Körner, Roman, Kittler, Martin, Buca, Dan, Kasper, Erich, Schulze, Jörg Publikationsart Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert Erscheinungsjahr 2014 Quelle IEEE Photonics Technology Letters, S. 187 - 189 Band/Jahrgang 26 Ausgabe/Heft 2 ISSN 1041-1135 DOI https://doi.org/10.1109/LPT.2013.2291571 GeSn/Ge Multi Quantum Well Photodetectors on Si Substrates Autor(en) Oehme, Michael, Widmann, Daniel, Kostecki, Konrad, Zaumseil, Peter, Schwartz, Bernhard, Gollhofer, Martin, Körner, Roman, Bechler, Stefan, Kittler, Martin, Kasper, Erich, Schulze, Jörg Publikationsart Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert Erscheinungsjahr 2014 Quelle Optics Letters, S. 4711 - 4714 Band/Jahrgang 39 Ausgabe/Heft 16 ISSN 1539-4794 DOI https://doi.org/10.1364/OL.39.004711 Trap-Assisted Tunneling on Extended Defects in Tunnel Field-Effect Transistors Autor(en) Reiche, Manfred, Kittler, Martin, Übensee, Hartmut, Krause, Michael, Pippel, Eckhard Publikationsart Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert Erscheinungsjahr 2014 Quelle Japanese Journal of Applied Physics, S. 1 - 6 Band/Jahrgang 53 Ausgabe/Heft 4S, 04EC03 ISSN 1347-4065 DOI https://doi.org/10.7567/JJAP.53.04EC03 Highly Efficient Packaged 11-13 GHz Power Amplifier in SiGe-Technology With 37.3% of PAE Autor(en) Gerlich, Stefan, Weger, Peter Publikationsart Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert Erscheinungsjahr 2013 Freie Schlagworte Power amplifier Quelle IEEE Microwave and Wireless Components Letters, S. 539 - 541 Band/Jahrgang 23 Ausgabe/Heft 10 ISSN 1531-1309 DOI https://doi.org/10.1109/LMWC.2013.2278285 A Narrow-band 8.7 GHz SiGe HBT LNA with a Passive Frequency Selective Feedback Autor(en) Gerlich, Stefan, Weger, Peter Publikationsart Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert Erscheinungsjahr 2012 Freie Schlagworte LNA; Radiofrequency Integrated Circuits Quelle Frequenz, S. 183 - 188 Band/Jahrgang 66 Ausgabe/Heft 7-8 ISSN 0016-1136 2191-6349 DOI https://doi.org/10.1515/freq-2012-0037 Hybrid cascode with an isolated NLDMOS and HBT for X-Band power amplifier applications Autor(en) Wipf, Christian, Sorge, Roland, Weger, Peter Publikationsart Konferenzveröffentlichung Erscheinungsjahr 2011 Verlag Piscataway : IEEE Quelle Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems (SiRF), IEEE 11th Topical Meeting on, Phoenix, AZ, 2011, S. 121 - 124 ISBN 978-1-4244-8060-9 DOI https://doi.org/10.1109/SIRF.2011.5719310 Fully monolithically integrated X-band power amplifier without external matching Autor(en) Meshcheriakov, Ievgenii, Solomko, Valentyn A., Weger, Peter Publikationsart Konferenzveröffentlichung Erscheinungsjahr 2010 Verlag Piscataway, NJ : IEEE Quelle Conference on Ph.D. Research in Microelectronics and Electronics (PRIME) 2010, Berlin, Institute of Technology, S. 1 - 4 ISBN 978-1-424-47905-4 A Fully Integrated 3.3-3.8-GHz Power Amplifier With Autotransformer Balun Autor(en) Solomko, Valentyn A., Weger, Peter Publikationsart Wissenschaftlicher Zeitschriftenartikel referiert Erscheinungsjahr 2009 Quelle IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 57(2009)9, S. 2160-2172, 0018-9480 Monolithically integrated Sigma-Delta Frequency Synthesizers in 0.13 µm CMOS Autor(en) Solomko, Valentyn A. Publikationsart Dissertation Erscheinungsjahr 2008 Freie Schlagworte Integrierte Schaltung; Frequenzsynthese; CMOS-Schaltung; Sigma-Delta-Wandler URN urn:nbn:de:kobv:co1-opus-4656 Monolithically integrated ?? frequency synthesiser with distributed reference spurs Autor(en) Solomko, Valentyn A., Weger, Peter Publikationsart Artikel Erscheinungsjahr 2008 Quelle IET circuits, devices and systems 2(2008)6, S. 527-536, 1751-858X 5-6 GHz Low-Power, High Linearity Differential CMOS LNA with Robust ESD Protection Autor(en) Debski, Wojciech Andrzej, Weger, Peter Publikationsart Artikel Erscheinungsjahr 2007 Quelle Frequenz : journal of RF-engineering and telecommunications 61(2007)5-6, S. 110-112, 0016-1136 Multi-band adaptive WLAN receivers in 0.13 µm CMOS Autor(en) Debski, Wojciech Andrzej Publikationsart Dissertation Erscheinungsjahr 2007 Freie Schlagworte Drahtloses lokales Netz; CMOS-Schaltung URN urn:nbn:de:kobv:co1-opus-3689 A Monolithically Integrated 23-24 GHz Tuned Down-Converter in 0.13 µm CMOS Autor(en) Debski, Wojciech Andrzej, Weger, Peter Publikationsart Artikel Erscheinungsjahr 2007 Quelle Frequenz : journal of RF-engineering and telecommunications 61(2007)7-8, S. 178-181, 0016-1136 17 GHz 50-60 mW Power Amplifiers in 0.13 um standard CMOS Autor(en) Vasylyev, Andriy, Weger, Peter, Bakalski, Winfried Publikationsart Artikel Erscheinungsjahr 2006 Quelle IEEE microwave and wireless components letters 16(2006)1, S. 37-39, 1051-8207 11 GHz CMOS frequency synthesiser Autor(en) Solomko, Valentyn A., Weger, Peter Publikationsart Artikel Erscheinungsjahr 2006 Quelle Electronic letters 42(2006)21, S. 1199-2000, 0013-5194 Integrated RF power amplifier design in silicon based technologies Autor(en) Vasylyev, Andriy Publikationsart Dissertation Erscheinungsjahr 2006 Freie Schlagworte Siliciumbauelement; Radiofrequenzbereich; Verstärker; Leistungsverstärker; CMOS URN urn:nbn:de:kobv:co1-opus-202 Fully-integrated 32 dBm, 1.5-2.9 GHz SiGe-bipolar power amplifier using power-combining transformer Autor(en) Vasylyev, Andriy, Weger, Peter, Bakalski, Winfried, Simbürger, Werner Publikationsart Artikel Erscheinungsjahr 2005 Quelle Electronic letters 41(2005)16, S. 35-36, 0013-5194 Keramische System-in-Package-Technologie für 5GHz-Transceivermodul Autor(en) Debski, Wojciech Andrzej, Langmann, U., Weger, Peter, Mayr, P., Matz, R. Publikationsart Konferenzveröffentlichung Erscheinungsjahr 2005 Verlag München : IMAPS Deutschland Quelle Deutsche IMAPS-Konferenz 2005, 10. - 11.10.05, München A 4.8-6 GHz IEEE 802.11a WLAN SiGe-Bipolar Power Amplifier with On-chip Output Matching Autor(en) Vasylyev, Andriy, Käll, Marcus, Bakalski, Winfried, Schmid, Alfons, Simbürger, Werner, Kitlinski, Krzysztof Publikationsart Konferenzveröffentlichung Erscheinungsjahr 2005 Verlag London : Horizon House Publ. Quelle Conference proceedings, 35th European Microwave Conference, Tuesday 4th, Wednesday 5th and Thursday 6th October 2005, Paris, France, part of 8th European Microwave Week (EuMW)], Bd. 3, S. 1427 - 1431 Ultra broadband 20.5-31 GHz monolithically integrated CMOS power amplifier Autor(en) Vasylyev, Andriy, Weger, Peter, Simbürger, Werner Publikationsart Artikel Erscheinungsjahr 2005 Quelle IEE electronic letters 41(2005)23, S. 1281-1282, 0013-5194 A fully integrated 5.3 GHz, 2.4 V, 0.3 W SiGe-bipolar power amplifier with 50 Ohm output Autor(en) Bakalski, Winfried, Vasylyev, Andriy Publikationsart Artikel Erscheinungsjahr 2004 Quelle IEEE journal of solid state circuits 39(2004)7, S.1006-1014, 0018-9200 A Monolithic 2.4 GHz, 0.13 um CMOS Power Amplifier with 28 dBm Output Power and PAE at 1.2 V Supply Autor(en) Vasylyev, Andriy, Weger, Peter Publikationsart Konferenzveröffentlichung Erscheinungsjahr 2004 Quelle Conference Proceedings / 14th International Crimean Conference Microwave & Telecommunication Technology : September 13 - 17, 2004, Sevastopol, Crimea, Ukraine, 2004, S. 98-99, 966-796869-3 A fully integrated 5.3 GHz, 2.4 V, 0.3 W SiGe-bipolar power amplifier with 50 Ohm output Autor(en) Bakalski, Winfried, Vasylyev, Andriy, Simbürger, Werner, Scholtz, A. L., Thüringer, R. Publikationsart Konferenzveröffentlichung Erscheinungsjahr 2003 Quelle Proceedings of the 29th European Solid-State Circuits Conference, Estoril, Portugal, 16 - 18 September 2003, S. 561 - 564 ISBN 0-7803-7995-0 A 5 to 6.5 GHz LTCC Power Amplifier Module Autor(en) Ilkov, N., Dernovsek, O., Bakalski, Winfried, Weger, Peter, Matz, R., Simbürger, Werner Publikationsart Konferenzveröffentlichung Erscheinungsjahr 2003 Verlag Washington, DC : IMAPS Quelle Proceedings of the 36th International Symposium on Microelectronics (IMAPS), Boston, USA, 16 - 20 Nov. 2003, IEEE ISBN 0-930815-71-8 A Fully Integrated 7-18 GHz Power Amplifier with On-Chip Output Balun in 75 GHz-fT SiGe-Bipolar Autor(en) Bakalski, Winfried, Scholtz, A. L., Vasylyev, Andriy, Weger, Peter, Simbürger, Werner, Thüringer, R., Wohlmuth, H.-D. Publikationsart Konferenzveröffentlichung Erscheinungsjahr 2003 Verlag Piscataway, NJ : IEEE Operations Center Quelle Proceedings of the Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting, Toulouse, France, 29 - 20 Sept. 2003, IEEE, S. 61 - 66 ISBN 0-7803-7800-8 60GHz and 76GHz Oscillators in µm SiGe:C BiCMOS Autor(en) Winkler, W., Borngräber, J., Heinemann, B. Publikationsart Teil eines Buches (Kapitel) Erscheinungsjahr 2003 Quelle Digest of technical papers / 2003 IEEE International Solid-State Circuits Conference, ISSCC : [February, 9, 10, 11, 12, and 13, 2003, San Francisco, California], Piscataway, NJ : IEEE Service Center, 2003, [Hauptbd.], S. 454 - 507, 0-7803-7707-9 A 5-6.5GHz LTCC Power Amplifier Module with 0.3W at 2.4V in Si-bipolar Autor(en) Bakalski, Winfried, Weger, Peter, Ilkov, N., Scholtz, A. L., Dernovsek, N., Matz, R., Simbürger, Werner Publikationsart Artikel Erscheinungsjahr 2003 Quelle Electronics Letters 39(2003)4, S. 375-376, 0013-5194 A 0.35µm CMOS 1.9mA VCO-Core with Off-Chip Inductance on LTCC for System-in-a-Package Solutions of a 5-GHz-WLAN Transceiver Autor(en) Mecking, S., Debski, Wojciech Andrzej Publikationsart Konferenzveröffentlichung Erscheinungsjahr 2003 Quelle Proceedings / ProRISC 2003, 14th Annual Workshop, Veldhoven, Netherlands, 2003, S. 240-243, 90-73461-39-1
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