Inhalt der Vorlesung

Basierend auf der Funktion und dem Aufbau moderner Halbeiterbauelemente vermittelt die Vorlesung die physikalischen und technologischen Grundlagen der Herstellung. Das Verständnis und der Überblick über die technologischen Fertigungsverfahren ermöglicht den Studierenden eine Bewertung von Halbleitertechnologien hinsichtlich möglicher Anwendungen beim Entwurf mikroelektronischer Schaltungen.

• Überblick über die Entwicklung der Mikroelektronik und Übersicht über kommerzielle Aspekte des Halbleitermarktes
• Grundgrößen und Zusammenhänge der Halbleiterphysik
• Aufbau und Funktion exemplarischer Halbleiterbauelemente (Passives, Diode, Bipolartransistor, MOS-FET)
• Eigenschaften des Si-Kristallgitters, Kristallzucht, Herstellung und Eigenschaften des Wafer-Basismaterials (Substrat)
• Herstellung von Schichtsystemen
• Dotierung durch Diffusion und Implantation
• Epitaktisches Wachstum von kristallinen Si(Ge) Schichten auf dem Substrat
• Strukturierung durch Lithographie und Ätzverfahren
• Reinigungs- und Planarisierungstechniken
• Silicon on Insulator (SOI)
• Ausblick in zukünftige Entwicklungen der Halbleitertechnologie

Ein Teil der Vorlesung findet als Blockveranstaltung am IHP in Frankfurt (Oder) statt. Neben der Theorie wird dabei in den Laboren des IHP ein praktischer Eindruck der vermittelten Zusammenhänge gegeben. Der Termin der am IHP durchgeführten Blockveranstaltung kann in Absprache erfolgen.

Vorlesung: 2 SWS

Leistungspunkte: 3

Zeitpunkt: WS

Im Rahmen eines Praktikums haben Sie die Gelegenheit, erste Erfahrungen im Bereich der Halbleitertechnologie vor Ort am IHP zu sammeln und das in der Vorlesung Gelernte in praktischer Arbeit zu vertiefen.