Modulnummer: 13009

Inhalt der Vorlesung

Die Vorlesung führt in die Grundlagen der Halbleiterphysik, die Topologie und Funktionsweise der wichtigsten Halbleiterbauelemente und die Halbleiterfertigungsprozesse zur Realisierung integrierter Schaltungen auf Siliziumbasis ein. Es wird ein Einblick in die angrenzenden Bereiche der Material- und Bauelementediagnostik, der Fertigungsprozesskontrolle und ein Überblick über technologische Trends in der Halbleiterindustrie gegeben. Die in diesem Kurs erworbenen Kenntnisse sind eine gute Grundlage, um einzelne Halbleitertechnologien hinsichtlich ihrer Eignung für die Anwendung, z.B. in elektronischen Schaltungen und Systemen, zu bewerten.

• Überblick über die Entwicklung und den Markt der Halbleitertechnologie
• Grundgrößen und Zusammenhänge der Halbleiterphysik
• Exemplarische Bauelemente auf ICs (Passives, Diode, Bipolar-Transistor, FET)
• Si-Kristallgitter, Kristallzucht, Waferherstellung, Verunreinigung des Si-Basismaterials
• Oxidation
• Dotierung durch Diffusion und Implantation
• Ablagerung von Schichten und epitaktisches Wachstum von kristallinen Si(Ge) Schichten auf dem Substrat
• Strukturierung durch Lithographie, Ätzverfahren
• Reinigungs- und Planarisierungstechniken
• Si-on-Insulator (SOI)
• Diagnostik, Prozesskontrolle und Metrologie für Si-basierte Halbleiterprozesse
• Ausblick in zukünftige Halbleitertechnologien
• Exkursion zum Halbleiter-FAB am IHP-Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik

Dauer: 1 Semester

Zeitpunkt: Jedes Wintersemester

Vorlesung: 2 Semesterstunden pro Woche

Voraussetzung für die Prüfung: Anfertigung einer Studie zu einem Halbleiterthema und erfolgreiche Präsentation

Mündliche Prüfung

Leistungspunkte: 6