Unsere Forschung befasst sich mit der Entwicklung, Herstellung und Charakterisierung von nano- und optoelektronischen Bauelementen auf der Basis der Halbleiter Silizium, Germanium und Zinn. Ferner erforschen wir den Einsatz funktionaler Oxide. Wir verbinden Materialforschung mit der Entwicklung neuartiger Bauelemente, deren Anwendungsspektrum von Sensorik bis Spintronik reicht. Ein Schwerpunkt ist hierbei der Einsatz von niedrigdimensionalen Halbleiter-Heterostrukturen und metallischen Nanostrukturen zur Entwicklung einer integrierten Biosensorik.  Wir sind eines von 12 ForLabs, die mit modernsten Anlagen für eine goße Breite von Herstellungs- und Charakterisierungsmethoden ausgestattet sind. 

  https://www.forlab.tech/ueber-forlab/forlab-famos/

News:

Unser Paper "Unintentional p-type conductivity in intrinsic Ge-rich SiGe/Ge heterostructures grown on Si (001)" wurde bei “Applied Physics Letters” veröffentlicht:

https://pubs.aip.org/aip/apl/article/122/24/243503/2896122

Unser Paper “MBE-based growth of Sn-rich quantum wells and dots at low Sn deposition rates” ist zur Veröffentlichung bei “Materials Science in Semiconductor Processing” angenommen.

Unser Paper “Titanium Nitride Plasmonic Nanohole Arrays for CMOS-Compatible Integrated Refractive Index Sensing: Influence of Layer Thickness on Optical Properties”, wurde bei “Plasmonics” veröffentlicht:

https://link.springer.com/article/10.1007/s11468-023-01810-3