Forschungsprofil

Unsere Forschung konzentriert sich auf Fragen der Mikrowellenelektronik.

Die folgenden Themen werden zur Zeit bearbeitet.
Details können unseren Veröffentlichungen entnommen werden.

Transistor-Modellierung

  • Großsignal,
  • Kleinsignal, und
  • Rauschmodelle (1/f und weißes Rauschen)

für

  • Hetero-Bipolar-Transistoren (GaAs, InP, SiGe)
  • Hetero-Feldeffekt-Transistoren (GaN, GaAs)

Rauscharme Verstärker
Der Schwerpunkt der Aktivitäten liegt auf dem Gebiet der hochlinearen und/oder robusten rauscharmen Verstärker auf der Basis von GaN-Transistoren.


Hauptpartner in der Forschung ist das Ferdinand-Braun-Insitut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik, Berlin-Adlershof.