Unsere Forschung konzentriert sich auf Fragen der Mikrowellenelektronik.

Die folgenden Themen werden zur Zeit bearbeitet.
Details können unseren Veröffentlichungen entnommen werden.

Transistor-Modellierung

• Großsignal,
• Kleinsignal, und
• Rauschmodelle (1/f und weißes Rauschen)

für

• Hetero-Bipolar-Transistoren (GaAs, InP, SiGe)
• Hetero-Feldeffekt-Transistoren (GaN, GaAs)
  
  

Rauscharme Verstärker
Der Schwerpunkt der Aktivitäten liegt auf dem Gebiet der hochlinearen und/oder robusten rauscharmen Verstärker auf der Basis von GaN-Transistoren.

Hauptpartner in der Forschung ist das Ferdinand-Braun-Insitut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik, Berlin-Adlershof.