Surface Science Cluster
Foto: Karsten Henkel
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- Probenvorbereitung (Reinigung)
- Präparationskammer und Load-Lock
- Ionensputtern mit reaktiven (Sauerstoff) und nicht-reaktiven (Argon) Gasen
- Tempern bei hohen Temperaturen
- Elektronenstrahl bis 1200 °C
- Direktstrom bis 12 A
- Materialabscheidung
- 2 Präparationskammern
- Molekularstrahlepitaxie
- Monolagenbeschichtung
- Mehrlagenwachstum
- Elektronenstrahlverdampfer für Metallabscheidung
- Chemische Gasphasenabscheidung (CVD) bei hohen Drüken
- Temperatur: Flüssigstickstoff bis Hochtemperatur
- in-situ Transfer zu Analysekammern
- Photoelektronenspektroskopie
- Elektronen-Analysator-System
- Phoibos 150 SAL (Abtastobjektiv)
- 2D-CCD-Detektor
- XR50 Doppelanoden-Röntgenstrahlungsquelle
- Röntgenphotoelektronenspektroskopie (XPS)
- Monochromatisches Al Kα (1486,7 eV) und Ag Lα (2986,4 eV)
- UVS 300
- Ultraviolettphotoelektronenspektroskopie (UPS)
- Winkelaufgelöste Photoelektronenspektroskopie (ARPES)
- Monochromatisches He I (21.2 eV) und He II (40.8 eV)
- 5-Achsen-Manipulator
- ±70° Drehung des Polarwinkels
- Kühlung (Flüssigstickstoff und Flüssighelium)
- Tempern durch Elektronenstrahl
- Elektronen-Analysator-System
- Niedrigenergie-Elektronenbeugung (LEED)
ErLEED 150 Optics
- Rastersondenmikroskopie (SPM)
- SPM: Aarhus 150 HT
- Rastertunnelmikroskop (STM)
- Messmodi: konstante Höhe (CH), konstanter Strom (CC)
- Rasterkraftmikroskop (AFM)
- Nichtkontaktmodus (nc)
- Raster-Kelvin-Mikroskopie (KPFM)
- Messmodi: kontante Höhe (CH), konstante Kraft (CF)
- Spektroskopie: I(V), I(z), dI/dV, Δf(V), Δf(z)
- Temperaturbereich: 150 bis 1000 K