Surface Science Cluster

  • Probenvorbereitung (Reinigung)
    • Präparationskammer und Load-Lock
    • Ionensputtern mit reaktiven (Sauerstoff) und nicht-reaktiven (Argon) Gasen
    • Tempern bei hohen Temperaturen
      • Elektronenstrahl bis 1200 °C
      • Direktstrom bis 12 A
  • Materialabscheidung
    • 2 Präparationskammern
    • Molekularstrahlepitaxie
      • Monolagenbeschichtung
      • Mehrlagenwachstum
    • Elektronenstrahlverdampfer für Metallabscheidung
    • Chemische Gasphasenabscheidung (CVD) bei hohen Drüken
    • Temperatur: Flüssigstickstoff bis Hochtemperatur
    • in-situ Transfer zu Analysekammern
  • Photoelektronenspektroskopie
    • Elektronen-Analysator-System
      • Phoibos 150 SAL (Abtastobjektiv)
      • 2D-CCD-Detektor
    • XR50 Doppelanoden-Röntgenstrahlungsquelle
      • Röntgenphotoelektronenspektroskopie (XPS)
      • Monochromatisches Al Kα (1486,7 eV) und Ag Lα (2986,4 eV)
    • UVS 300
      • Ultraviolettphotoelektronenspektroskopie (UPS)
      • Winkelaufgelöste Photoelektronenspektroskopie (ARPES)
      • Monochromatisches He I (21.2 eV) und He II (40.8 eV)
    • 5-Achsen-Manipulator
      • ±70° Drehung des Polarwinkels
      • Kühlung (Flüssigstickstoff und Flüssighelium)
      • Tempern durch Elektronenstrahl
  • Niedrigenergie-Elektronenbeugung (LEED)
    • ErLEED 150 Optics

  • Rastersondenmikroskopie (SPM)
    • SPM: Aarhus 150 HT
    • Rastertunnelmikroskop (STM)
      • Messmodi: konstante Höhe (CH), konstanter Strom (CC)
    • Rasterkraftmikroskop (AFM)
      • Nichtkontaktmodus (nc)
      • Raster-Kelvin-Mikroskopie (KPFM)
      • Messmodi: kontante Höhe (CH), konstante Kraft (CF)
    • Spektroskopie: I(V), I(z), dI/dV, Δf(V), Δf(z) 
    • Temperaturbereich: 150 bis 1000 K